
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET®第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN,業(yè)內首款適用于標準柵極驅動電路的器件,10 V條件下最大導通電阻降至4 mW,采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率和功率密度,柵極電荷僅為22.5 nC,同時具有低輸出電荷(QOSS)。
與邏輯電平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平臺電壓,適用于柵極驅動電壓高于6 V的電路,器件最佳動態(tài)特性縮短死區(qū)時間,防止同步整流應用發(fā)生擊穿。SiSS22DN業(yè)內低導通電阻比排名第二的產(chǎn)品低4.8%—與領先的邏輯電平器件不相上下—QOSS為34.2 nC,QOSS與導通電阻乘積,即零電壓開關(ZVS)或開關柜拓撲結構功率轉換設計中,MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)達到最佳水平。為實現(xiàn)更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封裝類似解決方案節(jié)省65%的PCB空間。
SiSS22DN改進了技術規(guī)格,經(jīng)過調校最大限度降低導通和開關損耗,多電源管理系統(tǒng)構件可實現(xiàn)更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓撲結構同步整流、DC/DC轉換器主邊開關、降壓-升壓轉換器半橋MOSFET功率級,以及通信和服務器電源OR-ing功能、電動工具和工業(yè)設備電機驅動控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。
MOSFET經(jīng)過100 % RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素
SiSS22DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為30周,視市場情況而定。
聲明:本內容為作者獨立觀點,不代表電源網(wǎng)。本網(wǎng)站原創(chuàng)內容,如需轉載,請注明出處;本網(wǎng)站轉載的內容(文章、圖片、視頻)等資料版權歸原作者所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片,未能及時和您確認,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,請電郵聯(lián)系我們,以便迅速采取適當處理措施;歡迎投稿,郵箱∶editor@netbroad.com。
羅姆的SiC MOSFET應用于豐田全新純電車型“bZ5” | 25-06-24 15:55 |
---|---|
SiC MOSFET 并聯(lián)的關鍵技術 | 25-06-20 15:41 |
Vishay新款高可靠性隔離放大器,擁有業(yè)內先進的CMTI,用于精密應用 | 25-06-05 16:20 |
Vishay 新款具有領先導通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應用的熱性能和可焊性 | 25-05-30 16:47 |
Vishay 新款具有領先導通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應用的熱性能和可焊性 | 25-05-29 17:11 |
微信關注 | ||
![]() |
技術專題 | 更多>> | |
![]() |
技術專題之EMC |
![]() |
技術專題之PCB |