英飛凌在2018年上半年推出了基于IGBT6技術的1200V單管IGBT,1200V TRENCHSTOP? IGBT6發布了2個產品系列:優化導通損耗-S6系列和優化開關損耗-H6系列。1200V TRENCHSTOP? IGBT6 S6系列集電極-發射極飽和電壓VCE(sat)1.85 V,導通損耗低,并且擁有與HighSpeed3 H3系列相同的低開關損耗。1200V TRENCHSTOP? IGBT6 H6則進一步優化開關損耗,相比于上一代HighSpeed3 H3系列,總開關損耗降低約15%。英飛凌推出的超薄晶圓TRENCHSTOP? 5 IGBT技術可進一步縮小芯片尺寸、提高功率密度。英飛凌率先將40A 650V IGBT和40A二極管封裝在D2PAK,相比于其他競爭對手30A 雙芯片IGBT產品,其額定電流值提高了25%。對于這兩款最新產品,英飛凌分別做了2個手提式焊機的樣機供大家參考,本次Webinar向大家詳細介紹了如何用這兩種高功率密度的單管IGBT設計高效,高功率密度,輕便以及低成本的手提式焊機產品。
嘉賓介紹
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英飛凌-施俊
演講嘉賓
職稱:英飛凌科技市場營銷經理
簡介:英飛凌科技市場營銷經理
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晶川-陳戰國
演講嘉賓
職稱:中小功率市場經理
簡介:北京晶川電子中小功率市場經理,主要負責英飛凌分離IGBT單管,..