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一、電氣性能   

     電氣性能包含下圖時鐘頻率、IO電平、時序定義等內容，下面將一一介紹（注意：本文只介紹標準模式下的數據，其它模式數據參考協議原文文檔）

     以下的時序是常見的，項目中I2C實際波形需要符合這些時序的要求，因此測試中應該用示波器抓到實際波形然后查看每個時序，當然以上只是標準協議，不同的器件要求可能有所不同，需要查詢相應的數據手冊確定極限值。其他的時序可以參考原文，不再贅述。

    1. VIH與VIL

     VIH：高電平閾值電壓，高于此電壓才會判斷為高電平，一般取VDD+0.5V或5.5V中的小值，例如3.3V的系統中，取3.3+0.5等于3.8V

     VIL：低電平閾值電壓，低于此電壓才會判斷為低電平，一般最小值為-0.5V，最大值為0.3VDD，這里的最大最小值器件生產誤差或者不同器件的微小差異，后續的最大值最小值也是類似。

    2. tlow

     指低電平持續時間，也就是SDA或SCL一個時鐘周期內電平低于0.3VDD的持續時間。標準模式下最小為4.7us。

   3. tHIGH

     指高電平持續時間，也就是SDA或SCL在一個周期內電壓大于0.7VDD后直到電壓再低于0.7VDD時持續的時間。標準模式下最小為4.0us。

    4. tr與tf

     tr是指數據上升沿時間，即SDA從0.3VDD到0.7VDD這一段時間，標準模式下最大為1us，最小不限

     tf是指數據下降沿時間，即SDA從0.7VDD到0.3VDD這一段時間，標準模式下最大為0.3us，最小不限

       5. tHD;STA

     指開始保持時間，數據SDA變為低電平（SDA低于０.３VDD瞬間開始）一直到SCL開始變為低電平（SCL低于０.７VDD瞬間）這段時長，標準模式下最小值為4.0us

    6. tSU;STA

     指起始建立時間，只有在發完上一個數據Re-Start時才會有這個時序，從SCL變為高電平（SCL電壓大于0.7VDD瞬間）開始到SDA開始變為低電平（SDA低于0.7VDD瞬間）這一段時間的時長，標準模式下最小為4.7us。

    7.  tSU;DAT

     指數據建立時間，數據SDA完成電平變換（指SDA由0V變為0.7VDD瞬間或從VDD變為0.3VDD瞬間開始）一直到時鐘SCL開始采集（指SCL大于0.3VDD）這一段時長，標準模式下最小250ns。

    8. tHD;DAT

     指數據保持時間，時鐘SCL高電平結束后變為低電平（指SCL低于0.3VDD瞬間開始）一直到數據SDA完成電平轉換（指SDA由0V變為0.7VDD瞬間或從VDD變為0.3VDD瞬間開始）這一段時長，標準模式下最小5us。

    9. tSU;STO

     指結束建立時間，從SCL變為高電平（指SCL高于0.7VDD瞬間開始）到SDA開始變為高電平（指SDA高于0.3VDD瞬間）這段時間的時長，標準模式下最小4.0us。

二、上拉電阻的計算

            對于標準模式（即通信速率為100k），上拉電阻受電源電壓、輸入電流和總線電容影響，引腳輸入電流有限，一般為3mA，總線電容Cb最大為400pF。

     由于引腳輸入電流有限，過大可能損壞設備，因此可以計算上拉電阻的最小值Rpmin=（VDD-0.3VDD）/0.003，取0.3VDD是因為低電平最大值為0.3VDD。以VDD為3.3V計算，Rp的最小值為（3.3-3.3*0.3）/0.003=0.77kΩ

     另外由于前面講過的上升沿時間tr最大值（標準模式1us）影響，可以計算上拉電阻的最大值。

     上升沿其實就是對電容Cb充電的過程，按照tr的定義可以得出以下式子：（其中R為Rp，C為Cb）

      以tr最大為1us，Cb最大為400pF計算得：

     因此Rp取值范圍在0.77k到2.86k之間，建議取靠近中間的值，實際總線電容可能沒有400pF，因此也可以稍微取大一些，常見的是4.7k。