TOP258芯片集成了高壓開(kāi)關(guān)電流源,多模式PWM控制,振蕩器,熱關(guān)斷電路等保護(hù)功能。

不同的封裝設(shè)計(jì)滿(mǎn)足不同功率等級(jí)的應(yīng)用需求，同時(shí)散熱工藝也有差別。

eSIP封裝的占位面積更小，所用的電路板面積也更小。

TOPSwitch-HX產(chǎn)品系列可以設(shè)計(jì)6.5W到333W的功率范圍，只需要少量的外部元件。

eSIP封裝同TO-220封裝具有同樣低的熱阻抗，但eSIP封裝在PCB上的裝配高度很低。

采用多模式控制機(jī)制，可以在不同的開(kāi)關(guān)模式之間平滑切換，能在任何負(fù)載模式下實(shí)現(xiàn)最優(yōu)效率。

高頻率設(shè)計(jì)還可以減少輸出紋波，從而減小所需輸出電容的大小和數(shù)量，從而進(jìn)一步降低輸出級(jí)成本。

TOP258脈寬調(diào)制 (PWM) 控制系統(tǒng)的全部功能集成到三端芯片中,內(nèi)含脈寬調(diào)制器、功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET)。

TOP258的D為內(nèi)部MOS管的漏極,也是芯片功率電路輸入端,一般經(jīng)過(guò)變壓器初級(jí)繞組

PI芯片的這個(gè)封裝畢竟獨(dú)特，散熱片好處理。

頻率抖動(dòng)和經(jīng)過(guò)優(yōu)化的開(kāi)關(guān)技術(shù)被用來(lái)降低輻射EMI和傳導(dǎo)EMI。

TOP258電源采用132 kHz的工作頻率，降低了變壓器及電源的尺寸

該系列的產(chǎn)品P、G或M封裝無(wú)需使用散熱片最大輸出功率可達(dá)35 W，230 VAC時(shí)最大輸出功率達(dá)48 W

TOPSwitch的拓?fù)潆娐穼⒏邏汗β蔒OS-FET、脈寬調(diào)制(PWM)控制器、故障自動(dòng)保護(hù)和其它控制電路集成，工作頻率提高到132 kHz。

由于可以選擇外部降低流限，在需要更高效率或散熱條件很差的低功率應(yīng)用中，可以選用較大的TOPSwitch器件。

單級(jí)PFC目前只能提供較小的功率和較差的輸出穩(wěn)定度，以及較低的成本和尚可的可靠性

欠壓鎖定可防止電源在低壓下出現(xiàn)過(guò)熱情況，并可消除在通電和斷電時(shí)的電壓擾動(dòng)，比較實(shí)用

欠壓鎖定可以保護(hù)開(kāi)關(guān)電源，防止在輸入低壓時(shí)，電源工作于某些極端情況下而損壞。

這種封裝簡(jiǎn)單的夾片提供了采用將器件與散熱片固定在一起的低成本方法。

附在eSIP封裝上的散熱片位于器件的源極，不需要絕緣墊片，因此不會(huì)干擾信號(hào)。

開(kāi)關(guān)斷開(kāi)后，漏感能量不會(huì)傳遞到次級(jí)，而是在變壓器初級(jí)繞組和開(kāi)關(guān)之間產(chǎn)生高壓尖峰。

還會(huì)在斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)和初級(jí)繞組的等效電容與變壓器的漏感之間，產(chǎn)生高頻振鈴

對(duì)于輸出功率在約2W以上的電源來(lái)說(shuō)，可以使用鉗位電路來(lái)安全耗散漏感能量，達(dá)到控制MOSFET電壓尖峰的目的。

反饋引腳接收來(lái)自初級(jí)反饋偏置繞組的信號(hào)或通過(guò)光耦器接收信號(hào)

提高變壓器的匝數(shù)比，可以降低次級(jí)電壓從而降低整流器二極管的功耗和成本。

為了放置在低壓下出現(xiàn)過(guò)熱情況可以及時(shí)進(jìn)行欠壓鎖定

最關(guān)鍵的問(wèn)題是變壓器的設(shè)計(jì)，即如何求得一個(gè)最佳電感值的變壓器，使TOPSwitch得到充分利用

R3增大的程度受光耦器晶體管耐壓及功耗額定限制，在設(shè)計(jì)最終定案前要進(jìn)行完整的測(cè)試

反壓尖峰發(fā)生時(shí)刻與原邊尖峰電壓發(fā)生時(shí)刻無(wú)關(guān)，與二極管續(xù)流結(jié)束時(shí)刻無(wú)關(guān)

在采用初級(jí)反饋結(jié)構(gòu)中，分路穩(wěn)壓器很低的輸出阻抗ZC決定了誤差放大器的增益