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氮化鎵高低損耗與高頻率的材料特性使其在電力電子領域具備應用優勢，尤其是在消費電子充電器、電源適配器等領域。

InnoSwitch3次級控制器包括磁耦合至初級側的發射器電路、恒壓(CV)及恒流(CC)控制電路、同步整流管MOSFET驅動器等。

如果母線電壓達到800V，內部MOSFET的750V的耐壓顯然無法滿足要求。

碳化硅的熱導率是硅的3倍，與銅相似，功率損耗產生的熱量可以以較小的溫度變化從碳化硅中傳導出去。

該產品具有高性能和高可靠性，適用于鐵路等領域的應用。其主要特點包括高集成度、低功耗和靈活的配置選項。

InnoSwitch3-Pro系列芯片內置SenseFET無損檢測電路，相比傳統分立器件的原邊檢測能夠降低損耗，提升效率。

該芯片具有自動重啟、自動調整開關周期導通時間及頻率抖動等功能。

LYTSwitch-6具備650V、725V跟750V開關功率元件，可根據需要來選擇。

TinySwitch-4采用開關控制方式，提供一個靈活的設計方案，并且實現更低的系統成本及更大的輸出功率范圍。

TinySwitch-III所具有的峰值處理特性使電源變壓器可以根據連續功率負載而不是峰值功率進行設計，這樣可以進一步減小變壓器磁芯的尺寸。