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寬禁帶器件的開關(guān)和導(dǎo)通損耗更低，具有溫升更低的優(yōu)勢。

與氮化鎵晶體管類似，碳化硅MOSFET同樣具有導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等特點(diǎn)，另外其體二極管特性也比硅MOSFET大為提升。

采用高效的“輕載”工作模式,可實(shí)現(xiàn)低于60mW的空載功耗。

HiperLCS-2產(chǎn)品有著高度集成化的特點(diǎn)，能夠顯著減少半橋LLC諧振功率變換器的元件數(shù)量和電路板面積。

可靠性更高，抗浪涌及ESD能力更強(qiáng)，設(shè)計出來的電源體積也更小。

相較于400V母線電壓的消費(fèi)類交通工具工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)母線方案，高母線電壓的設(shè)計可使效率更高，熱損耗低。

只使用一種半導(dǎo)體技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)牽引逆變器中，由于只使用了Si或SiC，因此不需要特別的驅(qū)動策略。

其主要特點(diǎn)包括高集成度、低功耗和靈活的配置選項(xiàng)。

采用氮化鎵功率開關(guān)，并結(jié)合零電壓開關(guān)技術(shù)以降低功率開關(guān)管的開關(guān)損耗，從而進(jìn)一步降低溫升。

開關(guān)損耗的降低，還可以減小變壓器尺寸，進(jìn)一步提高充電器的功率密度，實(shí)現(xiàn)小體積設(shè)計。