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LinkSwitch嚴(yán)格的限流點(diǎn)容差范圍以及T1中的變壓器繞制技術(shù),使得初級(jí)繞組實(shí)現(xiàn)了無箝位電路的設(shè)計(jì)。

LLC應(yīng)用頻率并不太高，加上母線高壓，電流比較小，也體現(xiàn)不出氮化鎵低導(dǎo)通電阻的優(yōu)勢(shì)。

很多消耗功率的功能都集成到IC內(nèi)部，可以在元件數(shù)目很少的情況下提升功率密度，同時(shí)減少不必要的功耗，使待機(jī)功耗最低。

負(fù)載減輕時(shí)，流限狀態(tài)調(diào)節(jié)器會(huì)相應(yīng)將流限值的設(shè)置降低。電流限流點(diǎn)達(dá)到較低水平時(shí)，振蕩器頻率恢復(fù)到標(biāo)準(zhǔn)值。

使用TinySwitch-III系列的器件時(shí)，通過改變BP/M引腳的電容容量可以將MOSFET的限流點(diǎn)設(shè)定在三個(gè)水平上。

值得注意的是，對(duì)于相同的控制腳電流，更高的線電壓會(huì)使占空比更小。

在自動(dòng)重啟動(dòng)、遠(yuǎn)程關(guān)斷和過熱關(guān)斷時(shí)，器件進(jìn)入遲滯工作模式。

LNK501不建議用新設(shè)計(jì)了，采用低頻的42kHz的工作頻率簡(jiǎn)化了EMI濾波器的設(shè)計(jì)。

對(duì)于5V這類低壓的電源要使系統(tǒng)效率達(dá)到75%，這就要求設(shè)計(jì)調(diào)試時(shí)要盡可能減小開關(guān)部分的損耗。

較低的VOR還意味著初級(jí)側(cè)MOSFET上的漏極到源極電壓較低，可以降低開關(guān)損耗。