飛思卡爾半導體近日推出其下一代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）射頻功率晶體管，以滿足蜂窩發射器降低功耗的迫切需求。飛思卡爾的第八代高壓（HV8）射頻功率 LDMOS 技術沿襲了公司一貫領先的射頻功率晶體管技術，專門用來滿足W-CDMA和WiMAX等高數據速率應用以及LTE和多載波GSM等新興標準的嚴苛要求?；贖V8技術的系列器件針對先進功率放大器架構中的運行做了優化，包括與數字預失真（DPD）結合使用的Doherty。

飛思卡爾HV8技術的首要優勢是提高了運行效率，這樣就幫助降低了基站系統的總功耗，進而降低了運營成本。此外，HV8還能夠適應先進系統架構的更嚴苛的操作環境要求。

“飛思卡爾實現了大幅的性能提高，使LDMOS繼續作為功率放大器的主導技術，”飛思卡爾副總裁兼射頻事業部總經理Gavin P. Woods表示，“當與先進架構結合使用或者在傳統系統中使用時，我們的HV8系列都有望在下一代發射器設計中實現相當高的系統效率水平?！?

最初幾款產品的功率水平將在100W至300W之間。此外，HV8產品還能夠利用并擴大飛思卡爾的低成本模壓封裝系列，具有極高的價值，覆蓋了700 MHz至2.7 GHz范圍的主要頻帶。

針對900 MHz頻帶內的運行做了優化的晶體管有望率先從HV8 射頻功率 LDMOS技術中受益，以有效滿足多載波GSM系統的嚴苛要求。Doherty參考設計專門針對MC-GSM市場做了優化，顯示出出色的效率和DPD校正性能，即使是在一些最嚴格的信號配置條件下。

HV8 性能

作為HV8性能的一個示例，采用雙MRF8S9260H/HS晶體管的對稱Doherty參考設計（針對多載波GSM應用）能夠提供58.0 dBm (630W) 的峰值功率、16.3 dB的增益、42.5%的漏極效率（在49.4 dBm (87W)的平均輸出功率水平情況下）以及良好的寬帶線性。DPD評估也顯示，在高達20 MHz的信號帶寬中，使用6個GSM載波能夠很好地校正這種參考設計。 RF8S9260H、MRF8S9170N、MRF8S9200N和MRF8P9300H晶體管也達到了類似的性能結果。

飛思卡爾的HV8 LDMOS平臺有效滿足了功率放大器制造商的成本、性能和可靠性要求，彰顯了飛思卡爾致力于成為通信系統射頻領導者的承諾 。