
中國上海,2025年2月20日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,最新推出采用S-VSON4T[1]封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”,具有比東芝現有產品更快的導通時間[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態輸出端電壓和通態電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產品于今日開始支持批量出貨。
新型光繼電器通過提高輸入側紅外LED的光輸出并優化光電探測器(光電二極管陣列)的設計,可實現高效的光耦合,將導通時間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導通時間比東芝現有產品TLP3414縮短約50 %,TLP3431S的導通時間比東芝現有產品TLP3431縮短約62 %。
此外,當輸出打開時,這兩款產品的導通電阻會影響信號衰減(TLP3414S:最大值3 Ω,TLP3431S:最大值1.2 Ω);當輸出關閉時,輸出電容會影響高頻信號泄漏(兩款產品均為典型值6.5 pF)。新產品與東芝現有產品[2]相當,確保了穩定的信號傳輸。
新產品適用于半導體測試設備中的引腳電子[3]應用,可在開關信號的同時以高精度高速測量待測設備(DUT)。
新產品由于采用小型S-VSON4T封裝,與東芝現有產品的VSON4封裝[4]相比表貼面積減少了約20 %,有助于實現半導體測試設備和其他設備的小型化。
東芝將繼續提供更多高性能產品,以滿足半導體測試設備對更高性能和更快速度的需求。
· 應用:
· -半導體測試設備(高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等)
· -探測卡
· -測量設備
· 特性:
· -高速導通時間:tON=150 μs(最大值)
· -低導通電阻:
TLP3414S RON=3 Ω(最大值)
TLP3431S RON=1.2 Ω(最大值)
· -小型S-VSON4T封裝:45 mm×2.0 mm(典型值),厚度=1.3 mm(典型值)
· 主要規格:
(除非另有說明,Ta=25 °C)
應用:
· -半導體測試設備(高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等)
· -探測卡
· -測量設備
· 特性:
· -高速導通時間:tON=150 μs(最大值)
· -低導通電阻:
TLP3414S RON=3 Ω(最大值)
TLP3431S RON=1.2 Ω(最大值)
· -小型S-VSON4T封裝:45 mm×2.0 mm(典型值),厚度=1.3 mm(典型值)
· 主要規格:
(除非另有說明,Ta=25 °C)
-半導體測試設備(高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等)
· -探測卡
· -測量設備
· 特性:
· -高速導通時間:tON=150 μs(最大值)
· -低導通電阻:
TLP3414S RON=3 Ω(最大值)
TLP3431S RON=1.2 Ω(最大值)
· -小型S-VSON4T封裝:45 mm×2.0 mm(典型值),厚度=1.3 mm(典型值)
· 主要規格:
(除非另有說明,Ta=25 °C)
注:
[1] S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值)
[2] 東芝現有產品TLP3414(額定值40 V/250 mA)和TLP3431(額定值20 V/450 mA),采用VSON4封裝
[3] 引腳電子(PE):用于向待測設備(DUT)提供電源和測試信號,并判斷DUT的輸出信號的一種接口電路
[4] VSON4封裝:1.45 mm×2.45 mm(典型值)
[5] TLP3414S的測試條件:RL=200 Ω、VDD=20 V、IF=5 mA,TLP3431S:RL=200 Ω、VDD=10 V、IF=5 mA
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https://toshiba.semicon-storage.com/cn/info/lookup.jsp?pid=TLP3414S
TLP3431S
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