
2024年6月15日下午,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵IDM企業(yè)——能華半導(dǎo)體,在東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)沁園路的凱悅酒店成功舉辦了一場(chǎng)盛大的技術(shù)研討會(huì)和客戶答謝宴。此次活動(dòng)旨在分享最新的氮化鎵行業(yè)技術(shù)進(jìn)展,探討行業(yè)趨勢(shì),并加強(qiáng)與客戶的交流合作。
研討會(huì)匯集了來(lái)自全國(guó)各地的六百多位行業(yè)專家、學(xué)者、媒體及企業(yè)代表。現(xiàn)場(chǎng)座無(wú)虛席,氣氛熱烈,參會(huì)者們積極互動(dòng),討論氛圍非常活躍。
能華半導(dǎo)體董事長(zhǎng)朱廷剛博士上臺(tái)致辭
演講者包括來(lái)自復(fù)旦大學(xué)、南京大學(xué)、東南大學(xué)、華南理工大學(xué)等國(guó)內(nèi)知名高校的教授們,他們帶來(lái)了關(guān)于氮化鎵領(lǐng)域的前沿研究成果和深刻見(jiàn)解。同時(shí),能華半導(dǎo)體的高層領(lǐng)導(dǎo)和技術(shù)人員也在研討會(huì)上分享了氮化鎵相關(guān)技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì),以及公司在氮化鎵產(chǎn)品領(lǐng)域的最新進(jìn)展和成果。
會(huì)議首先由董事長(zhǎng)朱廷剛博士發(fā)表了致辭。這次會(huì)議邀請(qǐng)了復(fù)旦大學(xué)黃偉教授、南京大學(xué)陸海教授、東南大學(xué)李勝博士以及華南理工大學(xué)李宗濤教授等多位專家。同時(shí),能華半導(dǎo)體的CTO李亦衡博士、外延副總夏遠(yuǎn)洋博士、研發(fā)副總武樂(lè)可博士、應(yīng)用副總章濤,以及戰(zhàn)略合作伙伴陳揚(yáng)博士也分享了各自領(lǐng)域的最新研究和應(yīng)用進(jìn)展。
在本次研討會(huì)中,黃偉教授指出,GaN功率器件在高頻快充等應(yīng)用中表現(xiàn)出眾,未來(lái)在AI人工智能發(fā)展背景下,GaN技術(shù)將生機(jī)無(wú)限。陸海教授介紹了GaN功率器件在瞬態(tài)能量沖擊、浪涌電流應(yīng)力等工況下的可靠性表征平臺(tái),并詳細(xì)講解了在航天抗輻照應(yīng)用中的測(cè)試成果。李勝博士則全面對(duì)比了級(jí)聯(lián)型GaN功率HEMT器件與硅基超結(jié)MOSFET器件的電學(xué)參數(shù),闡述了GaN功率HEMT器件的電學(xué)特性優(yōu)勢(shì)及其設(shè)計(jì)優(yōu)化方向。李宗濤教授分享了電子散熱技術(shù)的最新進(jìn)展,提出了異構(gòu)集成近結(jié)散熱的新設(shè)計(jì)思路。
此外,李亦衡博士介紹了能華半導(dǎo)體在D-mode和E-mode GaN器件方面的現(xiàn)狀和未來(lái)規(guī)劃,夏遠(yuǎn)洋博士闡述了提升GaN材料耐壓水平和GaN材料的外延優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn),武樂(lè)可博士詳細(xì)介紹了能華半導(dǎo)體GaN產(chǎn)品的制造工藝、市場(chǎng)表現(xiàn)以及產(chǎn)品介紹。章濤副總分享了GaN功率器件在新能源電動(dòng)汽車等多元化應(yīng)用中的巨大潛力和機(jī)遇,并提出應(yīng)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)挑戰(zhàn)的策略。陳揚(yáng)博士則詳細(xì)介紹了單級(jí)式諧振變換器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用優(yōu)勢(shì),展示了該技術(shù)在氮化鎵器件中的實(shí)際應(yīng)用案例。
此次研討會(huì)展示了氮化鎵技術(shù)的最新進(jìn)展和應(yīng)用前景,促進(jìn)了能華半導(dǎo)體與客戶及學(xué)術(shù)界的深入交流。與會(huì)者一致認(rèn)為,此次會(huì)議為行業(yè)發(fā)展提供了重要的交流平臺(tái),對(duì)推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用具有積極意義。能華半導(dǎo)體表示,未來(lái)將繼續(xù)推進(jìn)更多高質(zhì)量的研討會(huì)和交流活動(dòng),進(jìn)一步促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研的深度融合。
在技術(shù)研討會(huì)結(jié)束后,能華半導(dǎo)體還舉辦了一場(chǎng)盛大的客戶答謝宴。宴會(huì)在凱悅酒店的豪華宴會(huì)廳進(jìn)行,賓客們用餐期間自由交流,增進(jìn)感情。能華半導(dǎo)體的高層領(lǐng)導(dǎo)在各桌間穿梭,與參會(huì)者親切交談,感謝他們的支持并聆聽(tīng)他們的反饋和建議。能華半導(dǎo)體表示,將繼續(xù)秉持開(kāi)放合作的態(tài)度,與各界攜手共進(jìn),推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用,為行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
關(guān)于能華半導(dǎo)體
能華半導(dǎo)體于2010年成立,是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的專注于第三代半導(dǎo)體GaN的高新技術(shù)企業(yè),核心團(tuán)隊(duì)匯聚了從外延到器件設(shè)計(jì)、制造工藝,封裝和測(cè)試到應(yīng)用模塊等各個(gè)環(huán)節(jié)的科技創(chuàng)新型資深專家,是全球?yàn)閿?shù)不多同時(shí)掌握增強(qiáng)型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司,自成立至今已獲得專利100多項(xiàng)。總部位于江蘇蘇州,在加州硅谷、深圳均設(shè)有研發(fā)基地和市場(chǎng)銷售中心。
聲明:本內(nèi)容為作者獨(dú)立觀點(diǎn),不代表電源網(wǎng)。本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容,如需轉(zhuǎn)載,請(qǐng)注明出處;本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容(文章、圖片、視頻)等資料版權(quán)歸原作者所有。如我們采用了您不宜公開(kāi)的文章或圖片,未能及時(shí)和您確認(rèn),避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,請(qǐng)電郵聯(lián)系我們,以便迅速采取適當(dāng)處理措施;歡迎投稿,郵箱∶editor@netbroad.com。
微信關(guān)注 | ||
![]() |