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產(chǎn)品/技術(shù)
應(yīng)用分類

ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT!

~非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化~
2023-05-16 14:02 來源:ROHM 編輯:電源網(wǎng)

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

據(jù)悉,電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半,為實現(xiàn)無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵,SiC (Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年,ROHM將柵極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn);2023年3月,又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術(shù)。此次,為了助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化,ROHM又推出器件性能達到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。

新產(chǎn)品是ROHM與Delta Electronics, Inc. (以下簡稱“臺達電子”)的子公司——專注于GaN元器件開發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.(以下簡稱“碇基半導(dǎo)體”)聯(lián)合開發(fā)而成的,在650V GaN HEMT的器件性能指數(shù)(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面,達到了業(yè)界超高水平。因此,新產(chǎn)品可以大大降低開關(guān)損耗,從而能夠進一步提高電源系統(tǒng)的效率。另外,新產(chǎn)品還內(nèi)置ESD*3保護器件,將抗靜電能力提高至3.5kV,這將有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的可靠性。不僅如此,新產(chǎn)品還具有GaN HEMT器件的優(yōu)勢——高速開關(guān)工作,從而有助于外圍元器件的小型化。

新產(chǎn)品已于2023年4月起投入量產(chǎn)(樣品價格 5,000日元/個,不含稅),并已開始網(wǎng)售,通過Ameya360、Sekorm等電商平臺均可購買。

ROHM將有助于應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”,并不斷致力于進一步提高器件的性能。另外,除了元器件的開發(fā),ROHM還積極與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并推動聯(lián)合開發(fā),通過助力應(yīng)用產(chǎn)品的效率提升和小型化,持續(xù)為解決社會問題貢獻力量。

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<什么是EcoGaN?>

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EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。 

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能,助力應(yīng)用產(chǎn)品進一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件,該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計工時和元器件數(shù)量等。

?EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

<產(chǎn)品陣容>

1.png

<應(yīng)用示例>

包括服務(wù)器和AC適配器在內(nèi)的各種工業(yè)設(shè)備和消費電子領(lǐng)域的電源系統(tǒng)

<電商銷售信息>

起售時間:2023年4月開始

電商平臺:Ameya360、Sekorm

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

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<關(guān)于Ancora Semiconductors Inc.(碇基半導(dǎo)體)>

碇基半導(dǎo)體成立于2022年7月,是全球電源管理和變壓器廠商——臺灣臺達電子(Delta Electronics, Inc.)的子公司,主要從事GaN元器件的開發(fā)。如欲了解關(guān)于碇基半導(dǎo)體的更多信息,請訪問公司官網(wǎng):

https://www.ancora-semi.com/zh-CN

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<術(shù)語解說>

*1) GaN HEMT

GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料——Si(硅)相比,具有更優(yōu)異的物理性能,目前,因其具有出色的高頻特性,越來越多的應(yīng)用開始采用這種材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor(高電子遷移率晶體管)的英文首字母縮寫。

*2) RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss

是用來評估器件性能的指標,其中Ciss是指從輸入端看的總電容,Coss是指從輸出端看的總電容。

該值越低,開關(guān)速度越快,開關(guān)時的損耗越小。

*3) ESD(Electro-Static Discharge:靜電放電)

當(dāng)人體和電子設(shè)備等帶電物體相互接觸時會產(chǎn)生靜電。這種靜電會導(dǎo)致電路和設(shè)備發(fā)生誤動作甚至損壞。

聲明:本內(nèi)容為作者獨立觀點,不代表電源網(wǎng)。本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容,如需轉(zhuǎn)載,請注明出處;本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容(文章、圖片、視頻)等資料版權(quán)歸原作者所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片,未能及時和您確認,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,請電郵聯(lián)系我們,以便迅速采取適當(dāng)處理措施;歡迎投稿,郵箱∶editor@netbroad.com。

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