美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆市–全球創新的定制化光電解決方案技術領導者埃賽力達科技有限公司（Excelitas Technologies® Corp.）近期推出增強型Gen2 905 nm大批量生產的脈沖半導體激光二極管。第二代905 nm脈沖激光二極管采用多層單片式芯片設計，具有更高效率（3 W/A），可實現更遠距離的測量并降低了功耗，同時改進了GaAs結構，可在30 A的驅動下提供85 W的脈沖峰值功率，與第一代產品相比激光功率增加了20%以上。

作為工業和消費類測距以及涉及飛行時間測量的LiDAR激光雷達應用的理想解決方案，增強型脈沖激光二極管的設計含有三個225μm x 10μm的的激光腔，可在較小發射區域內提供高輸出功率。激光芯片采用經TS 16949認證的大批量生產的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）制成。其性能和優勢包括：

? 輸出功率提高了20％以上：客戶的測距儀可以測量更遠的距離，或以較低的功耗測量相同的距離

? 三腔設計：提供的光功率是單腔設計的三倍

? 塑料TO封裝：適用于大批量應用的經濟高效型解決方案

Excelitas探測器部門產品負責人Denis Boudreau表示：“很高興Gen2 905 nm大批量生產的脈沖半導體激光二極管加入到我們廣泛的塑料封裝脈沖激光二極管系列中。我們的增強型技術使其成為市場上波長為905 nm的質量和效率最高的塑料封裝脈沖激光二極管，為工業和消費類測距應用中的飛行時間測量的設計工程師們提供了強大且經濟高效的解決方案。”

Gen2 905 nm大批量生產的脈沖半導體激光二極管現已面市銷售，它采用標準塑料TO封裝，Excelitas將于2021年推出表面貼裝版（SMD）和金屬TO封裝版。