國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的信號(hào)鏈芯片及其解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“納芯微”）宣布推出國(guó)內(nèi)首款高壓隔離半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSi6602，該芯片集高隔離耐壓、高可靠性、高集成度、低延時(shí)、靈活封裝配置等特性于一體，可應(yīng)用在5G基站、數(shù)據(jù)中心、充電樁等新基建重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域。

作為一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，NSi6602具有優(yōu)異的抗干擾能力，其抗共模瞬態(tài)干擾度（CMTI）可達(dá)150kV/us，可有效保證系統(tǒng)在各種惡劣環(huán)境下正常運(yùn)行。NSi6602的典型傳輸延時(shí)值為19ns，高邊、低邊柵極驅(qū)動(dòng)器之間最大傳輸延遲匹配5ns，最大脈寬失真6ns，有助于減小功率管的死區(qū)時(shí)間，進(jìn)而提高系統(tǒng)效率。通過更小的封裝尺寸、更強(qiáng)大的功能設(shè)計(jì)，NSi6602打破了傳統(tǒng)非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器普遍存在的工作電壓上限低、傳播延遲長(zhǎng)、靈活性差等局限性，從而帶來更高的功率密度，幫助系統(tǒng)更快速、更穩(wěn)健地運(yùn)行。

NSi6602性能特點(diǎn)：

隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

5kV RMS隔離耐壓

輸入側(cè)供電電壓：2.7V至5.5V

驅(qū)動(dòng)端供電電壓：最高可達(dá)25V

4A驅(qū)動(dòng)電流和6A吸收電流

最高150KV/us抗共模瞬態(tài)干擾度

19ns典型傳播延遲

5ns最大傳輸延遲匹配

6ns最大脈沖寬度失真

可編程死區(qū)時(shí)間

AEC-Q100認(rèn)證

過流、過溫保護(hù)機(jī)制

工作溫度范圍：-40℃~125℃

順應(yīng)拓展5G應(yīng)用、建設(shè)充電樁、推廣新能源汽車等新基建浪潮，NSi6602可應(yīng)用于5G 通信電源中PSU、二次電源、電源磚等領(lǐng)域，同時(shí)在數(shù)據(jù)中心、充電樁及車載電源等能源密集型場(chǎng)景中也有著廣泛的應(yīng)用前景，為新基建的多種應(yīng)用提供強(qiáng)大的安全保障。

圖：NSi6602功能框圖

NSi6602提供豐富的封裝組合，包括LGA13、SOW14、SOW16、SOP16等，均通過UL1577及VDE安規(guī)認(rèn)證，可應(yīng)用于各類中大功率開關(guān)電源系統(tǒng)，給予客戶更多個(gè)性化選擇。其中，SOW16及SOW14兩種封裝形式已通過AEC-Q100認(rèn)證，將有助于新能源汽車車載電源的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。