絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案，如車(chē)載充電器、非車(chē)載充電器、DC-DC快速充電器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開(kāi)關(guān)頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設(shè)計(jì)選擇的。

本應(yīng)用筆記所述設(shè)計(jì)中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件，采用Microsemi Corporation®專(zhuān)有的視場(chǎng)光闌IGBT技術(shù)。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達(dá)20 kHz的開(kāi)關(guān)頻率，以及由于對(duì)稱(chēng)設(shè)計(jì)，具有低雜散電感的軟恢復(fù)并聯(lián)二極管。選定IGBT模塊的高集成度可在高頻率下提供最優(yōu)性能，并具有較低的結(jié)至外殼熱阻。

使用ADI公司的柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)驅(qū)動(dòng)IGBT。ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器是一款單通道器件，在>25 V的工作電壓下（VDD至VSS），典型驅(qū)動(dòng)能力為7 A源電流和灌電流。該器件具有最小100 kV/μs的共模瞬變抗擾度(CMTI)。ADuM4135可以提供高達(dá)30 V的正向電源，因此，±15 V電源足以滿足此應(yīng)用。

圖1.ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器模塊

測(cè)試設(shè)置

電氣設(shè)置

系統(tǒng)測(cè)試電路的電氣設(shè)置如圖2所示。直流電壓施加于半橋兩端的輸入，900 μF (C1)的解耦電容添加到輸入級(jí)。輸出級(jí)為200 μH (L1)和50 μF (C2)的電感電容(LC)濾波器級(jí)，對(duì)輸出進(jìn)行濾波，傳送到2 Ω至30 Ω的負(fù)載(R1)。表1詳述了測(cè)試設(shè)置功率器件。U1是用于HV+和HV?的直流電源，T1和T2是單個(gè)IGBT模塊。

完整電氣設(shè)置如圖3所示，表2詳細(xì)列出了測(cè)試中使用的設(shè)備。

圖2.系統(tǒng)測(cè)試電路的電氣設(shè)置

表1.測(cè)試設(shè)置功率器件

表2.完整設(shè)置設(shè)備

圖3.柵極驅(qū)動(dòng)器配電板測(cè)試的連接圖

測(cè)試結(jié)果

無(wú)負(fù)載測(cè)試

在無(wú)負(fù)載測(cè)試設(shè)置中，在模塊輸出端汲取低輸出電流。在此應(yīng)用中，使用一個(gè)30 Ω的電阻。

表3顯示無(wú)負(fù)載的電氣測(cè)試設(shè)置的重要元件，且負(fù)載內(nèi)的電流低。表4顯示在模塊上觀察到的溫度。表3和表4總結(jié)了所觀察到的結(jié)果。圖5至圖10顯示各種電壓和開(kāi)關(guān)頻率上的開(kāi)關(guān)波形的測(cè)試結(jié)果。

如表3中所示，測(cè)試1和測(cè)試2在600 V電壓下執(zhí)行。測(cè)試1在10 kHz開(kāi)關(guān)頻率下執(zhí)行，測(cè)試2在20 kHz開(kāi)關(guān)頻率下執(zhí)行。測(cè)試3在900 V電壓下執(zhí)行，開(kāi)關(guān)頻率為10 kHz。

圖4顯示無(wú)負(fù)載測(cè)試的電氣設(shè)置。

圖4.無(wú)負(fù)載測(cè)試的電氣設(shè)置

表3.無(wú)負(fù)載測(cè)試，對(duì)應(yīng)插圖

1 VDC是HV+和HV?電壓。

2 IIN表示通過(guò)U1的輸入電流。

表4.無(wú)負(fù)載測(cè)試，溫度總結(jié)1

1 所有溫度都通過(guò)熱攝像頭記錄。

2 從變壓器測(cè)得。

開(kāi)關(guān)IGBT的性能圖

此部分測(cè)試結(jié)果顯示不同目標(biāo)電壓下的開(kāi)關(guān)波形，其中fSW = 10 kHz和20 kHz。VDS是漏極-源極電壓，VGS是柵極-源極電壓。

負(fù)載測(cè)試

測(cè)試配置類(lèi)似于圖2所示的測(cè)試設(shè)置。表5總結(jié)了觀察到的結(jié)果，圖11至圖16顯示各種電壓、頻率和負(fù)載下的測(cè)試性能和結(jié)果。

測(cè)試4在200 V、10 kHz開(kāi)關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。測(cè)試5在600 V、10 kHz開(kāi)關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。測(cè)試6在900 V、10 kHz開(kāi)關(guān)頻率下執(zhí)行，占空比為25%。

表5.負(fù)載測(cè)試

1 IOUT是負(fù)載電阻R1中的輸出電流。

2 VOUT是R1兩端的輸出電壓。

3 POUT是輸出功率(IOUT × VOUT)。

開(kāi)關(guān)IGBT的性能圖和無(wú)負(fù)載測(cè)試

此部分測(cè)試結(jié)果顯示fSW = 10 kHz和20 kHz的不同目標(biāo)電壓下的開(kāi)關(guān)波形。