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X-FAB宣布對180nm BCD-on-SOI技術平臺擴展,推出用于汽車應用新型高壓器件

2019-07-11 16:20 來源:X-FAB 編輯:電源網

2019年7月11日,比利時Tessenderlo全球領先的模擬/混合信號代工廠商X-FAB Silicon Foundries,今天宣布推出針對不斷增長的48V汽車電源系統(48V board net)和電池管理系統芯片市場的新型高壓器件。

這些新的互補NMOS/PMOS器件基于X-FAB的XT018 BCD-on-SOI 平臺,涵蓋的電壓范圍為70V至125V,具有深溝槽隔離(DTI) 并滿足汽車AEC-Q100 0級標準。這些器件提供具有競爭力的導通電阻(Rdson),同時仍為Rdson、Idsat和Vth提供可靠的安全工作區域。同時采用了高效的ESD保護機制,以確保長期運行可靠性。此外,還提供基于新高電壓等級的N-channel耗盡型晶體管。這些將能實現簡單,節約芯片面積的啟動電路和穩壓器。

世界領先的汽車制造商越來越多采用48V子系統以提高燃油效率和減少二氧化碳排放。輕度混合動力汽車率先采用48V額定電壓組件,最初主要集中在許多核心部件,如啟動器/發電機、DC-DC轉換器和電池管理子系統,以及水泵和冷卻風扇等高電流功能。

與此同時,快速增長的電動汽車和儲能用鋰離子電池市場正轉向更高電壓的電池組。 XT018 BCD-on-SOI平臺現在可提供高達200V的更為靈活度電壓,以支持使用單個BMS 芯片監控的越來越多的電池單元。

與傳統的BCD技術相比,SOI上的BCD在許多方面都具有優越性,使其對設計師具有吸引力。這些重要優勢包括防閂鎖電路 (latch-up free circuits)、高EMC性能(由于采用埋氧化物/DTI完全隔離)和能夠簡單的處理負電壓瞬變(below ground transients)。此外,大幅度減小芯片尺寸,提高一次流片率(first-time-right),可以加快開發周期, 并降低每個芯片的成本。

X-FAB首席執行官Rudi De Winter表示:“作為首屈一指的高壓SOI代工廠,X-FAB現在比以往更有能力支持汽車的電動化趨勢。在廣受歡迎的XT018平臺的擴展進一步加強了我們客戶在混合動力/電動汽車領域的產品能力。通過這種擴展,再加上我們的碳化硅(SiC)和高壓電隔離工藝(Galvanic Isolator),X-FAB將能夠為客戶提供一系列重要的構建模塊,有助于加速社會加速走向更環保的交通運輸方式。”

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