接下來再對比一下Mosfet、Sicfet、CoolGaN?驅動的IV曲線：

設定Vds為15-20V，測試Vgs電壓從-5V到+5V時的Igs電流。上圖是IPW60R040C7 Mosfet的驅動電壓和電流的IV曲線。

從圖中可以看出，IPW60R040C7只有Vgs在Mosfet的Vth 附近才會出現一個較大的電流，其實也就是驅動所需要的電流，但這個電流最大也不超過0.7uA。遠小于CoolGaN? 的15mA.

再看看Sicfet驅動的IV曲線：

同樣是設定Vds為15-20V，測試Vgs電壓從-5V到+5V時的Igs電流。

Sicfet的驅動IV曲線和Mosfet相差還是比較大的，在Vgs為-5V時的漏電流相對較大，達到了0.35uA,大于-4V以上就很小了，一直到+5V時完Sicfet全開通都沒有出現較大的電流，基本在10nA以內。

再來看看CoolGaN? IGO60R070D1，既然CoolGaN?是電流型控制，那么我們來看看測試不同Igs下驅動Vgs的電壓的IV曲線：

設定Vds為15-20V，測試Igs電流從-15mA到+15mA時的Vgs電壓的IV曲線

從圖中可以看出，CoolGaN? IGO60R070D1正負電流驅動的對稱性非常好，而且趨勢非常明顯，在電流滿足的情況下，需要的Vgs電壓也非常低。

可以定義CoolGaN?為電流型控制功率器件了嗎？不過其需要的驅動電流也并不大，只需要不到20mA.

在電路設計中我們知道，弱電流信號往往比弱電壓信號的抗干擾能力更強，所以，CoolGaN?在電源中應用會比Mosfet和Sicfet更穩定和可靠。

不過在高頻開關電源的應用中，還是需要按常規做法做到驅動回路盡量短小，將驅動線路中的寄生電感降低至最小，畢竟電感會抑制電流的上升。

同時，由于CoolGaN?的導通域值比較低，所以在高DV/DT和高DI/DT電路中，還是有必要在開關瞬間加入負壓關斷來抑制干擾。

建議采用英飛凌推出的CoolGaN? 專用驅動芯片1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H，其不同于傳統功率MOSFET的柵極驅動IC，這個針對英飛凌CoolGaN?量身定制的柵極驅動IC可提供負輸出電壓，以快速關斷氮化鎵開關。

在開關應處于關閉狀態的整個持續時間內，GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩定保持為零。

這可保護氮化鎵開關不受噪音導致誤接通的影響，哪怕是首脈沖，這對于開關電源實現強健運行至關重要。

氮化鎵柵極驅動IC可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率，幾乎不受工作循環或開關速度影響。

這可確保運行穩健性和很高能效，大大縮短研發周期。

它集成了電隔離，可在硬開關和軟開關應用中實現強健運行。

它還可在開關電源的一次側和二次側之間提供保護，并可根據需要在功率級與邏輯級之間提供保護。

這款就是采用英飛凌CoolGaN? IGO60R070D1和專用驅動IC 1EDF5673K的半橋Demo。下面采用這款Demo來實測一下CoolGaN?的效果。

首先，按照英飛凌原廠的參數接入一個12uH的電感形成一個同步Buck的電源。

4個1GHz帶寬的普通無源探頭分別測量信號發生器輸入的1.5MHz時鐘信號、經過門電路生成2路互補的PWM信號送到1EDF5673K的輸入端的信號、1EDF5673K輸出給IGO60R070D1的下管驅動信號；

1個1GHz帶寬的有源中壓差分探頭測量另1個1EDF5673K輸出給IGO60R070D1上管的驅動信號；

2個200MHz的有源差分探頭分別測量IGO60R070D1上下管的Vds電壓波形，1個120MHz帶寬的電流探頭測量電感電流。  

再看看板子背面的IGO60R070D1

加上散熱器再來個特寫：