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埃賦隆半導體推出Gen9HV LDMOS 140W RF PA晶體管

2018-06-06 17:15 來源:埃賦隆半導體 編輯:電源網

2018年6月6日荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出專為諸如數字視頻廣播(DVBT)和特高頻(UHF)模擬電視等UHF廣播應用設計的BLF989射頻(RF)功率晶體管。這款140W(平均值——峰值為700W)的晶體管采用埃賦隆最新的Gen9HV高壓LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)工藝,是采用該工藝技術的首款廣播器件。該器件通常具有>34%的高工作效率(AB類),并且采用陶瓷SOT539封裝形式,安裝吊耳可有可無。

BLF989具有>40:1的同類最佳的堅固耐用性,同時具有卓越的工作穩定性和產品一致性特性,這有助于射頻功率設備制造商的整個design-in和生產過程。

該晶體管能夠在400至860MHz的UHF范圍內工作,具有高增益——在Paverage時>21dB,以及整個頻率范圍內的最佳增益平坦度。

用于BLF989的Gen9HV工藝建立在埃賦隆行業領先的技術領先地位上,其廣播Gen6HV產品組合進一步提高了效率、增益和堅固耐用性規格。BLF989是即將發布的、專門為廣播應用設計的Gen9HV產品組合中的第一款產品。

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