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壟斷程度高的半導體產業,國產化困難重重

2018-06-01 10:16 來源:互聯網 編輯:Jessie

中美貿易戰為我國半導體行業敲響警鐘,半導體自主可控不僅僅是口號,更是涉及到國家安全、國計民生的要務,隨著自主可控呼聲越來越大,集成電路產業發展需求必將倒逼芯片國產化進程。

未來設備國產化是必然選擇,隨著國家半導體行業的發展,國產設備市場空間超百億。

晶圓廠投資熱潮帶動半導體設備增長

隨著下游半導體行業景氣度的提升以及晶圓工業的不斷升級,全球迎來半導體晶圓廠投資熱潮,這也將會帶動上游半導體設備行業高增長。

據SEMI報告,2017-2020年,全球將新建62座半導體晶圓廠,中國大陸將占26座,投資12英寸(30mm)晶圓廠將占大比例。以羅方格晶圓廠數據為例,晶圓廠80%的投資用于購買,這必將大幅帶動半導體設備行業的發展。

壟斷程度高的半導體產業,國產化困難重重

據SEMI預測,2017年全球半導體制造設備銷售額約559億美元,同比增長35.6%,首次超過2000年的市場高點477億美元。預計2018年全球半導體設備市場銷售額達601億美元,同比增長7.5%。

其中晶圓加工設備將增加37.5%,達到450億美元。前端部分、封裝設備部分、半導體測試設備預計分別達到26億美元、38億美元、45億美元,同比增長預計分別為45.8%、25.8%、22%。

SEMI預測,2018年,韓國、中國大陸、中國臺灣將保持前三,銷售額分別達到169億美元、113億美元、接近113億美元。雖然韓國保持首榜,但中國設備銷售增長率最高達49.3%。

晶圓制造關鍵設備國產化有待突破

晶圓制造產業屬于典型的資產和技術密集型產業,羅方格晶圓廠,總投資的80%用于購買設備,而購買設備中的80%是晶圓制造設備。光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備為晶圓制造核心設備,分別占晶圓制造環節的23%、30%、25%。

光刻機作為半導體芯片最核心設備,技術難度高、價格在2000萬美金以上,高端領域被荷蘭ASML壟斷,市場份額高達80%,最新出的EUV光刻機可用于試產7nm制程,可達3-4億美元。全球晶圓代工廠臺積電、三星、因特爾展開20nm以下制程工藝競賽的今天,而國產技術領先光刻機僅能用來加工90nm芯片。

壟斷程度高的半導體產業,國產化困難重重

薄膜沉積設備單價在200-300萬美元,一個晶圓廠需要30臺左右。AMAT在CVD設備和PVD設備領域都保持領先,而沈陽拓荊、北方華創等國內企業正在突破。

刻蝕機,單價在200萬美元左右,一個晶圓廠需要40-50臺。國產刻蝕機市場份額已從1%提升至6%。中微半導體16NNnm以實現商業化,7-10nm已達到世界領先水平。

國家政策和資金扶持持續加碼

2014年,國家提出建立從晶片到終端產品的產業鏈規劃,強調集成電路設備材料端要在2020年之前打入國際采購供應鏈,分別從政策和資金加大推動半導體國產化進程,國家集成電路大基金已經進入密集投資期,目前大陸集成電路產業投資基金總額高達6532億元,規模有望直逼1萬億元。

大基金覆蓋IC設計、晶圓制造、芯片封測等領域。東吳證券認為,未來大基金和國家產業政策在設備方面的投資力度和政策扶持會持續加碼,設備國產化是IC國產化的重中之重!

壟斷程度高的半導體產業,國產化困難重重

截至2017年9月,大基金累計投資55個項目,涉及40家IC企業,承諾出資1003億。其中制造、設計、封測、裝備材料投資占比分別為65%、17%、10%、8%。雖然在裝備和材料環節投資規模力度小,但仍然推進光刻、刻蝕、薄膜沉積等核心裝備。

未來將加大圍繞國家戰略的智能汽車、物聯網、人工智能、5G等新興產業進行投資規劃。東吳證券認為,未來國家資金會持續不斷的想設備端傾斜,畢竟只有真正掌握最核心工藝,才能夠實現真正意義上的國產化。

半導體設備壟斷程度高 國產化困難重重

2016年全球半導體專用設備前十市占率達92%,銷售規模達379億美元,而中國半導體設備前十銷售額近7.3億美元,其主要原因是集成電路行業屬于典型技術和資本密集型行業,技術差距大,我國設備自制率僅14%,且集中于后道的封測環節,未來隨著我國政策和資金持續扶持加碼,關鍵設備有望實現技術突破。

1996年5月12日于荷蘭瓦圣納簽署《瓦圣納協議》,協定包括加入管制敏感性高科技輸往中國等國家,基于該協議的技術封鎖導致半導體設備國產化困難重重,只能依靠進口國外落后的設備和自主研發。


中國大陸晶圓廠支出成大 設備占率不斷提升

據SEMI2018年最新數據,全球晶圓廠2017年、2018年、2019年設備支出分別為569億美元、600億美元、651億美元,同比增長分別為38%、9%、5%,2016-2019年CAGR為16%,是自1990年以來首次連續四年正增長。

而中國大陸半導體設備需求2017年、2017年、2019年預計分別達68.4億美元、100億美元、172億美元,同比增長分別為5.88%、57%、60%。東吳證券預計,2019年中國大陸設備支出將成為全球支出最高的地區。

壟斷程度高的半導體產業,國產化困難重重

過去兩年全球興建17座12寸晶圓廠,十座設在中國大陸,東吳證券認為,從建設開工到投產產量整個周期需要3-5年,那么2018-2019年是中國大陸晶圓設備投資潮,全球半導體設備產業將出現前所未有的欣欣向榮局面。

2017年全球晶圓制造設備銷售額達450億美元,同比增長53.43%,遠超其他設備,而中國晶圓制造設備資本支出在2018-2019年將達166.24億美元,占中國半導體資本支出的60%,2015-2019年CAGR達20.55%,但中國設備在全球市場份額僅為4%,供給和市場份額極不匹配。

據CEPEA統計,2016年國產半導體設備在中國大陸市占率僅11%,IC設備占全部半導體設備銷售49%,2018-2020年國產集成電路設備平均增長率有望超25%,2020年半導體設備銷市占率有望達20%,IC設備有望達50億元。

壟斷程度高的半導體產業,國產化困難重重

國產晶圓制造設備 未來三年有望超百億

中國晶圓制造設備市場需求處于上升階段,根據SEMI數據線性外推估計2015-2020年我國晶圓設備市場CAGR達32.43%、VLSI Research2017年公布數據中晶圓制造各環節設備比例假設與CEPEA預測2020年國產半導體設備市占率達20%假設這三個數據來推算,2018年、2019年、2020年國產晶圓生產設備市場空間有望達39.9億元、70.82億元、140億元,增速分別為53.55%、77.5%、96.98%,2018-2020年累計市場空間達250億元,CAGR為87%。

壟斷程度高的半導體產業,國產化困難重重

根據國產21挑12寸晶圓廠產線情況,綜合考慮晶圓廠建設時間先、設備投資比例,東吳證券測算2018年、2019年、2020年我國國產晶圓制造設備市場空間達71億元、137億元、180億元。以SEMI口徑設備端測算2018-2020年的市場空間約250億元,從興建晶圓廠投資端測算2018-2020市場空間約387億元。

雖然我國設備市場層現繁榮景象,半導體制造設備國產化進程不斷加速,但國產化完全替代不是一撮而就,只有不斷加強研發水平、提高技術能力,才能真真正正提高我國半導體制造設備的國際競爭力。

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