中國，2015年6月25日——意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出S系列1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關頻率達到8kHz時，新系列雙極器件的導通和關斷綜合損耗創市場新低，大幅度提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業電機等類似設備的電源轉換效率。

意法半導體（ST）新款1200V IGBT是業內性能最好的低頻晶體管

新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡化熱管理系統。此外，正VCE（sat）溫度系數結合緊密的參數分布，不僅簡化多支晶體管的并聯設計，亦滿足更大功率應用的要求。極低的電壓過沖和關斷零振蕩（zero oscillation），幫助電源廠商使用更簡單的外部電路和更少的外部組件。

10μs最小短路耐受時間（在150°C初始結溫時），無閂鎖（latch-up free operation）效應，擁有175°C最高結溫以及寬安全工作區。多項優勢體現了新產品極強的耐用性和可靠性。

作為8kHz最高開關頻率硬開關拓撲的理想選擇，新款S系列采用第三代溝柵式場截止（trench-gate field-stop）型制造工藝，補充并完善了意法半導體1200V IGBT的M系列和H系列的市場布局，M系列和H系列產品分別定位在20kHz與20kHz以上的開關電源市場，與新款S系列一起，這三大系列產品將成為常用開關頻率電源廠商針對先進、高能效IBGT器件的最佳選擇。

最新發布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值，采用標準引腳或TO-247加長引腳封裝。全系產品標配最新的內部續流二極管（freewheeling diode），兼備快速恢復和高恢復軟度，確保IGBT具有超低電磁干擾和導通損耗。