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IR擴充60V StrongIRFET MOSFET系列

2014-07-07 14:40 來源:電源網 編輯:娣霧兒

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多種標準和高性能功率封裝。全新MOSFET適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業應用,包括電動工具、輕型電動車 (LEV) 逆變器、直流電機驅動器、鋰離子電池組保護和開關模式電源 (SMPS) 二次側同步整流應用等。

12089PR_Expanded_60V_StrongIRFET

經過擴充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封裝和表面貼裝封裝,其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式 (ME) DirectFET封裝,可提供大電流密度,有效縮減整體系統尺寸并降低成本,適用于空間受限的大功率工業設計。


全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款器件,均配有可提升低頻率應用性能的極低導通電阻、極高的載流能力、軟體二極管和有助于提高噪聲免疫力的3V典型閥值電壓。該系列的每款器件都完全通過業界最高雪崩電流級別的雪崩測試,能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IR廣泛的60V StrongIRFET MOSFET產品系列具有適合工業市場的低導通電阻和大電流能力,并提供多種封裝選擇,使設計師能夠基于性價比標準靈活選擇最適合其應用的器件?!?

與DirectFET系列的其它器件一樣,全新IRF7580M中罐式封裝器件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。DirectFET封裝符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 的所有要求,例如提供完全不含鉛的物料清單,因此非常適合長生命周期的設計。而其它同類高性能封裝則采用含鉛的裸片貼裝,雖然符合電子產品有害物質管制規定第7(a) 項豁免條款,但這項豁免將于2016年到期。

規格

采用表面貼裝封裝的60V StrongIRFET

mos1

采用穿孔式封裝的60V StrongIRFET

mos2

標簽: MOSFET IR

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