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小編推薦:適合大功率的CCM模式APFC電路設計

2013-07-01 14:29 來源:電源網 編輯:滿女

導語:書山有路勤為徑,學海無涯苦作舟。這是學院派的教誨,也適用社會行業知識學習。電源行業知識高深,技術竅門更是難以管中窺豹,自此勤勤懇懇,孜孜不倦儼然成為入行或已入行人士的學習態度,在電源網論壇待得久的網友知道,論壇大俠無處不在,時而冒出的行業知識總結和經典設計,更是難以獲得的絕佳學習機會,鑒于論壇好帖被網友多次頂起與看好,小編決定向大俠學習,每日一課,整理大俠經典之帖,讓大俠的經典更遠流傳,讓行業的知識更深傳達,工程師們,開始孜孜不倦吧!

CCM模式APFC電路設計,來自大俠“讓你記得我的好”的精華帖。----小編語

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      傳統的工頻交流整流電路,因為整流橋后面有一個大的電解電容來穩定輸出電壓,所以使電網的電流波形變成了尖脈沖,濾波電容越大,輸入電流的脈寬就越窄,峰值越高,有效值就越大。這種畸變的電流波形會導致一些問題,比如無功功率增加、電網諧波超標造成干擾等。

功率因數校正電路的目的,就是使電源的輸入電流波形按照輸入電壓的變化成比例的變化。使電源的工作特性就像一個電阻一樣,而不在是容性的。

目前在功率因數校正電路中,最常用的就是由BOOST變換器構成的主電路,而按照輸入電流的連續與否,又分為DCM、CRM、CCM模式。DCM模式,因為控制簡單,但輸入電流不連續,峰值較高,所以常用在小功率場合。CCM模式則相反,輸入電流 連續,電流紋波小,適合于大功率場合應用。介于DCM和CCM之間的CRM稱為電流臨界連續模式,這種模式通常采用變頻率的控制方式,采集升壓電感的電流過零信號,當電流過零了,才開通MOS管。這種類型的控制方式,在小功率PFC電路中非常常見。

今天我們主要談適合大功率場合的CCM模式的功率因數校正電路的設計。

要設計一個功率因數校正電路,首先我們要給出我們的一些設計指標,我們按照一個輸出500W左右的APFC電路來舉例:

  已知參數:

  交流電源的頻率fac——50Hz

  最低交流電壓有效值Umin——85Vac

  最高交流電壓有效值Umax——265Vac

  輸出直流電壓Udc——400VDC

  輸出功率Pout——600W

  最差狀況下滿載效率η——92%

  開關頻率fs——65KHz

  輸出電壓紋波峰峰值Voutp-p——10V

  那么我們可以進行如下計算:

  1、輸出電流Iout=Pout/Udc=600/400=1.5A

  2、最大輸入功率Pin=Pout/η=600/0.92=652W

  3、輸入電流最大有效值Iinrmsmax=Pin/Umin=652/85=7.67A

  4、那么輸入電流有效值峰值為Iinrmsmax*1.414=10.85A

  5、高頻紋波電流取輸入電流峰值的20%,那么Ihf=0.2*Iinrmsmax=0.2*10.85=2.17A

  6、那么輸入電感電流最大峰值為:ILpk=Iinrmsmax+0.5*Ihf=10.85+0.5*2.17=11.94A

  7、那么升壓電感最小值為Lmin=(0.25*Uout)/(Ihf*fs)=(0.25*400)/(2.17*65KHz)=709uH

  8、輸出電容最小值為:Cmin=Iout/(3.14*2*fac*Voutp- p)=1.5/(3.14*2*50*10)=477.7uF,實際電路中還要考慮hold up時間,所以電容容量可能需要重新按照hold up的時間要求來重新計算。

  實際的電路中,我用了1320uF,4只330uF的并聯。




  有了電感量,有了輸入電流,接下來設計升壓電感!

  PFC電路的升壓電感的磁芯,我們可以有多種選擇:磁粉芯、鐵氧體磁芯、開了氣隙的非晶/微晶合金磁芯。這幾種磁芯是各有優缺點:

  磁粉芯優缺點

  優點:μ值低,不用額外再開氣隙,氣隙平均,漏磁小,電磁干擾比較低,不易飽和;

  缺點:基本是環形的,繞線比較困難,不過目前市場上也出現了EE型的。另外,μ值隨磁場強度的增加會下降。設計的時候需要反復迭代計算。

  鐵氧體磁芯優缺點

  優點:損耗小,規格多,價格便宜,開了氣隙后,磁導率穩定;

  缺點:需要開氣隙,另外飽和點比較低,耐直流偏磁能力比較差。

  非晶/微晶合金優缺點

  優點:飽和點高,開氣隙后,磁導率穩定;

  缺點:需要開氣隙。另外,大都是環狀的。

  在此說明一下,環形鐵芯雖然繞線比較困難,沒有E型什么帶骨架的那種容易繞。但是環形鐵芯繞出來的電感分布電容小,對將來處理電磁兼容帶來了很多便利之處。E型的骨架繞線一般都是繞好幾層,層間電容比較大,對EMC產生不利影響。另外,開氣隙的鐵芯,在氣隙處,銅損會變大(因為氣隙處的漏磁在銅線上產生渦流損耗)。

  下面我們就選擇一種環形磁粉芯來作為我們PFC電感的磁芯。我們上面已經計算出了幾個參數:

  輸入電流最大有效值:Iinrmsmax=Pin/Umin=652/85=7.67A

  輸入電感電流最大峰值:ILpk=Iinrmsmax+0.5*Ihf=10.85+0.5*2.17=11.94A

  升壓電感最小值:Lmin=(0.25*Uout)/(Ihf*fs)=(0.25*400)/(2.17*65KHz)=709uH

  繼續計算:

  線圈選擇電流密度為5A/平方毫米,可以計算出我們需要用的漆包線的線徑為:

  2×SQRT(7.67/(5×3.14))=1.4毫米

  因為這是按照最極限的輸入電壓,也就是說按照最大的輸入電流時來計算的。所以電流密度取的裕量比較大。實際按照不同的成本要求,也可以把電流密度取大一些,比如此處取電流密度為8A/平方毫米的話,那么可以得到線徑為:

  2×SQRT(7.67/(8×3.14))=1.1毫米

  這也是可以接受的。

  因為是CCM模式的工作方式,基波是低頻的半正弦波,在此處我們就不考慮趨膚效應了。選用單根的漆包線就可以了。

  常用的幾個公式:

  LI=NΔBAe

  L:電感量,I:電流,N:匝數,ΔB:磁感應強度變化量,Ae:磁芯截面積

  L=N×N×Al

  Al:電感系數

  H=0.4×3.14×N×I/Le

  H:磁場強度,Le:磁路長度

  計算磁芯大小的方法有幾種,最常用的就是AP法,但實際上,因為磁粉芯的磁導率隨磁場強度變化較大,計算經常需要迭代重復。另外,因為磁環的規格相對比較少。我們就不用AP法計算了。而是直接拿磁芯參數過來計算,幾次就可以得到需要的磁芯了。經驗越豐富,計算就越快了。

  適合用來做PFC電感的磁粉芯主要有三類:鐵鎳鉬(MPP)、鐵鎳50(高磁通)、鐵硅鋁(FeSiAl)。其中,鐵鎳鉬粉芯的飽和點大概在B=0.6附近,而后兩者都可以達到1以上。




  此處,我們選用某國產的鐵硅鋁粉芯,下面是該粉芯的一些特性曲線圖:


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  從圖上可以看見,當磁場強度上升的時候,磁導率在下降。那么電感量也就會下降。所以,我們希望電感量在承受直流偏磁時不要跌落的太多,那么設計所選擇的磁場強度就不能太高。我們選用初始磁導率μ0=60的鐵硅鋁粉芯,那么可以從圖中看到,當磁場強 度為100Oe時,磁導率還有原來的42%,而當磁場強度為100Oe時,磁感應強度為0.5T,遠未到飽和點。我們就把設計最大磁場強度定為 100Oe。

  那么根據

  L=N×N×Al

  H=0.4×3.14×N×I/Le

  我們得到的限制條件是:0.4×3.14×SQRT(L/Al)×I/Le<100

  由于100Oe時,磁導率只有初始值的42%,所以我們要對上式中的Al乘上這個系數。那么帶入相關的參數L=709uH,I=11.94A,我們有:

  0.4×3.14×SQRT(709E-6/(0.42×Al))×11.94/Le<100,簡化后得到:

  0.616/(Le×SQRT(Al))<100

  注意:上式中,Le的單位是:cm,Al的單位是:H/(N×N)

  現在,我們可以把磁芯參數帶入計算了。

  選擇一個:

  A60-572A,Le=14.3cm,Al=140nH/(N×N),Ae=2.889平方厘米,帶入后得到:115<100

  顯然磁芯不合適,再選擇一個更大的:

  A60-640,Le=16.4cm,Al=144nH/(N×N),Ae=3.53平方厘米,計算得到:99<100,不等式滿足。磁芯選定。

  然后,根據99=0.4×3.14×N×I/Le計算得到N=108圈

  有時,沒有合適的單個磁芯,可以用兩個磁芯疊加起來使用。



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  假如我們選擇另一種材質的磁芯,選擇磁導率在直流磁場下衰落比較小的高磁通粉芯,我們來看看計算結果如何。

  我們選用初始磁導率μ0=60的FeNi50粉芯,那么可以從圖中看到,當磁場強度為100Oe時,磁導率還有原來的65%,而當磁場強度為100Oe時,磁感應強度為0.65T,遠未到飽和點。我們可以設計最大磁場強度定為100Oe。

  那么根據

  L=N×N×Al

  H=0.4×3.14×N×I/Le

  我們得到的限制條件是:0.4×3.14×SQRT(L/Al)×I/Le<100

  由于100Oe時,磁導率只有初始值的65%,所以我們要對上式中的Al乘上這個系數。那么帶入相關的參數L=709uH,I=11.94A,我們有:

  0.4×3.14×SQRT(709E-6/(0.65×Al))×11.94/Le<100,簡化后得到:

  0.495/(Le×SQRT(Al))<100

  注意:上式中,Le的單位是:cm,Al的單位是:H/(N×N)

  現在,我們可以把磁芯參數帶入計算了。

  選擇一個:

  H60-572A,Le=14.3cm,Al=140nH/(N×N),Ae=2.889平方厘米,帶入后得到:92.5<100

  顯然這個磁芯是可以的。

  然后,根據92.5=0.4×3.14×N×I/Le計算得到N=88圈




  假如用鐵氧體磁芯來設計PFC升壓電感呢?因為鐵氧體的規格眾多,所以,這時候用AP法來初步計算一下倒是很方便哦:

  AP=(L×I×I×100)/(B×Ko×Kj))^1.14

  =(709E-6×11.94×11.94×100/(0.25×0.75×5))^1.14

  =15cm^4

  上式中,B是工作磁感應強度最大值,Ko是窗口利用率,取0.75,Kj是電流密度,取的是5A/平方毫米,后面^1.14表示1.14次方。此公式見蔡宣三的《開關電源設計》一書。

  經過選擇,我們可以選擇某公司EE55B鐵氧體磁芯:Ae=4.22cm^2,Aw=3.85cm^2

  4.22×3.85=16.25>15

  所以可以選擇此磁芯。

  然后,根據LI=NΔBAe,

  709E-6×11.94=N×0.25×4.22E-4

  N=80,

  核算一下窗口面積,假如采用直徑1.4mm的漆包線,那么80×1.4×1.4/100=1.57cm^2<

  這個時候,如果像像上面這樣窗口裕量比較大的情況下,可以適當多繞些匝數,依然通過調節氣隙的方法,把電感量調節到709uH左右。可以降低工作的磁感應強度,對于抗飽和有幫助。

  用鐵氧體磁芯來制作PFC電感,還有一個地方需要留意的是,在開氣隙的附近由于漏磁,銅損會比較大,所以對于EE型的磁芯,墊氣隙可以將氣隙分成兩部分,比磨掉中柱的那樣好,因為將氣隙分散,可以減少漏磁。

  接下來的設計是控制電路

  應用于CCM模式的控制IC非常多,控制模式也比較多,有平均電流型,也有峰值電流型。根據經驗,峰值電流型的對噪聲比較敏感,更多可供選擇的則是平均電流型的IC。最出名的估計就是UC3854系列了,但我個人更喜歡L4981系列的,因為L4981的外圍功能更豐富,工作更安全可靠。最近幾年還出現了不需要采集前級半正弦波的單周期控制方式的IC,最出名的就是infineon公司的ICE1PCS01/02系列(現在好像已經是升級到了ICE3系列了)和IR公司的IR1150。這兩款IC,我個人更喜歡ICE系列的,因為IR1150是峰值電流型控制,而ICE系列是平均電流型控制。峰值電流型控制對抗噪能力偏差。由于單周期系列的控制IC外圍電路極其簡單,所以目前在中等功率的PFC應用場合使用非常廣泛。總的來說,單周期的控制IC抗干擾能力比傳統帶乘法器的那類UC3854/L4981等還是差一些,哪怕是平均電流模式的單周期芯片,新出來的改進版的如何,我不了解。所以大功率場合還是建議采用傳統的PFC控制IC。

  本文中,我計劃以ICE1PCS01為例,介紹一下它的控制電路設計。具體而詳細的設計方法,還是請參閱infineon公司提供的相關技術文檔。我在此處,只是把相關具體的設計提取出來,作一個簡化,并按照我們上面的設計指標要求來具體計算一下。




  貼出電路原理圖:

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  實際應用的時候,我覺得應該在整流橋后面的直流母線上加一個CBB的高頻濾波電容Cin。

  計算如下:

  1輸入高頻濾波電容Cin的計算


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  Kr是電流紋波系數,r是電壓紋波系數,通常取0.02~0.08

  我們在此處把 Kr=0.20,Iinrmsmax=7.67A,fs=65KHz,r=0.05,Umin=85V代入得到Cin>=884nF,實際Cin可以取值1uF,Cin值不可太大,太大了會造成電流波形畸變。具體的值可以在調試的時候再作些調整。

  2、頻率設定電阻Rfreq可以從ICE1PCS01的設計資料里查圖得到,65K的開關頻率,對應的Rfreq約為68K。

  3、Rsense電阻計算

  Rsense<=0.66/ILpk=0.66/11.94=0.055歐,實際取三只0.15歐/3W的無感電阻并聯。

  4、R3的數值令我苦惱,計算方法是,IC的ISENSE腳電流應該限制在1mA。當開機時,由于有大的沖擊電流,假設沖擊電流為30A,那么在電流采樣電阻RSENSE上瞬間可以產生1.5V的電壓,那么R3的數值應該為1.5K。但是 infineon的設計資料建議用220歐電阻。所以我有點不知所措了。不過,這里先暫時用220歐吧,設計用下來好像也沒有出問題。

  5、R1、R2是輸出電壓的采樣分壓電阻。由于ICE1PCS01的內部基準是5V,所以,我們這里R2取5.6K,R1取440K。

  下面開始電流環路和電壓環路補償的計算。先把infineon設計資料里面提到的幾個設計常數貼出來:


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  C1用來濾除開關頻率的電流紋波,計算如下:


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  fave是轉折頻率,必須遠低于開關頻率,這里取開關頻率的1/5,那么代入參數后,可以得到:

  C1>=1.6nF,實際取值為2.2nF。




  電壓環路框圖


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  其中,


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  那個整個電壓環路的閉環增益傳遞函數就是:


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  G1就是我們要設計的誤差放大器的增益傳遞函數。那么我們首先要計算出開環傳遞函數:


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  我們將前面的設計參數帶入上面的公式,得到:

  85VAC輸入,滿載輸出時:f23=0.5707Hz

  265VAC輸入,滿載輸出時:f23=0.5665Hz

  而G4=R2/(R1+R2)=0.0125673

  所以我們可以分別得到85VAC與265VAC滿負載時的傳遞函數為:


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  下一步,采用PSPICE仿真傳遞函數,首先建立一個新的PROJECT,選擇模擬與混合電路仿真這項:


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  然后在原理圖中放入ABM庫中的拉普拉斯方程:


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  還要放入交流信號源VAC,零電位參考點。然后雙擊編輯相關參數,并放置網絡標識符,便于觀察信號波形:


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  設置仿真參數:


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  好了,可以開始仿真了。下面看結果。




  開環傳遞函數波特圖:

  綠色為85VAC時,紅色為265VAC時


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  有了開環傳遞函數的波特圖,我們就可以通過設置G1的參數,來進行環路補償了。

  先讓我們再看一次G1的表達式:


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  對于PFC電路而言,閉環電壓傳遞函數的帶寬要小于20Hz。我們在這里考慮把交越頻率設置在10Hz處。從仿真結果上可以看出,在10Hz處的開環增益是-12.65db,

  因此G1在10Hz處需要提供12.65db的增益來進行補償。




  另外,G2*G3在f23處有個極點需要補償掉,以對相位有個提升。我們可以用fcz來補償f23,同時在40~70Hz處放置一個極點,來快速降低增益,抑制高頻干擾,我們選擇fcp=50Hz。

  考慮到C2>>C3,且10Hz>>fcz,所以有:


8


  解方程得到,C2=2.73uF。由于這不是一個常用值,故而我們選擇C2=1uF,然后重新計算fcz:


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  根據:


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  求解,得到R4=100.7K,實際取值100K,再由:


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  可以算出C3=31.8nF,實際可以取值33nF。有了這些參數,我們可以給出G1的表達式了:


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  現在我們可以在PSPICE中進行閉環傳遞函數的仿真了。

  先打開原理圖,把G1添加進去,如圖:


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  然后設置好參數,開始仿真,看結果,還是綠色是85VAC的,紅色是265VAC的:


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  至此,采用ICE1PCS01的控制電路參數設計完成。

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