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挑戰(zhàn)極限!英特爾SSD組靠性和讀寫速度RAID性能測(cè)試

2013-06-28 11:44 來(lái)源:電源網(wǎng) 編輯:娣霧兒

如果你想出手購(gòu)買SSD硬盤,現(xiàn)在可以不再旁觀了,SSD硬盤不僅便宜了很多,可靠性和讀寫速度也提高了不少,硬盤的多通道NAND閃存控制器讀寫算法經(jīng)過(guò)了改進(jìn),得益于不斷增加的本地DRAM緩沖區(qū),已接近128MB,有助于大大提高寫入速度,但長(zhǎng)時(shí)間寫入對(duì)NAND閃存單元的損害問(wèn)題仍然存在。除此之外,SSD硬盤還有功耗低,重量輕,無(wú)噪音,無(wú)機(jī)械磨損等優(yōu)勢(shì)。

英特爾也受益于SSD的普及,通過(guò)純半導(dǎo)體基礎(chǔ)解決方案大舉進(jìn)入存儲(chǔ)市場(chǎng),此外,英特爾合作伙伴Micron創(chuàng)建了開放式NAND閃存接口(Open NAND Flash Interface,ONFI)標(biāo)準(zhǔn)。

測(cè)試1

圖1.SSD硬盤越來(lái)越主流

下面我們來(lái)看看全新的基于34nm工藝NAND閃存芯片的160GB英特爾X25-M SSD硬盤,運(yùn)行在華碩P6T7 WS主板,Core i7 975XE處理器,6GB內(nèi)存的機(jī)器上的表現(xiàn),這款厚度為7毫米超薄的2.5英寸硬盤,重量不超過(guò)80克,甚至可以裝進(jìn)許多超薄筆記本電腦,更別說(shuō)PC。


IDE接口SSD Win7環(huán)境測(cè)試

英特爾所聲稱的性能是讀取速度250MB/s,寫入速度70MB/s,與老一代50nm工藝的SSD相同,但延遲和寫入IOPS提高了1/4以上。我在Windows 7上用IDE仿真模式,無(wú)命令隊(duì)列運(yùn)行Sandra 2009 SP4進(jìn)行了測(cè)試,同時(shí)在Windows 7上用原生的AHCI SATA模式,開啟NCQ進(jìn)行了讀、寫和詳細(xì)的IOPS測(cè)試。

為什么要用Sandra?我知道有些讀者希望看到基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果,因?yàn)橐呀?jīng)有人做了,這里我們直接引用便是。

Windows 7 IDE模式

讀:241MB/s

寫:99MB/s

詳細(xì)的IOPS結(jié)果:

測(cè)試2

圖 2 Windows 7 IDE模式IOPS測(cè)試結(jié)果

Windows 7 AHCI NCQ模式

讀:255MB/s

詳細(xì)的IOPS結(jié)果:

測(cè)試3

圖 3 Windows 7 AHCI NCQ模式IOPS測(cè)試結(jié)果

正如你所看到的,對(duì)于大文件,使用ACHI有些優(yōu)勢(shì),但不是很明顯,對(duì)于小文件,無(wú)命令隊(duì)列的IDE模式反倒更有優(yōu)勢(shì),但無(wú)論哪種情況,對(duì)于一個(gè)基于MLC單元的SSD,性能都大大得到了提升,讀取速度超過(guò)SATA 300連接,寫入速度也非常體面,甚至高于英特爾聲稱的性能規(guī)格要求。


Intel企業(yè)級(jí)SLC硬盤RAID10性能測(cè)試

即使這樣,英特爾34nm X25-M SSD硬盤仍然沒有刷新主流SSD硬盤的世界紀(jì)錄,兩個(gè)月前我們測(cè)試的Patriot Torqx SSD在基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果方面顯示更快,但英特爾的SSD每項(xiàng)指標(biāo)都與之很接近,更何況英特爾有更快的基于SLC的至尊企業(yè)級(jí)硬盤。

談到SLC硬盤,讓我們看看它們的一些測(cè)試結(jié)果,由于固態(tài)硬盤讀取速度有很大的優(yōu)勢(shì),而現(xiàn)在寫性能也有大幅提升,那么如果將SSD硬盤組成RAID0或RAID10會(huì)有什么效果?如果你沒有專用的硬件RAID控制器,傳統(tǒng)的南橋芯片是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。

為了更好的包裝它們,我使用了兩個(gè)A-DATA XPG熱插拔2.5英寸存儲(chǔ)機(jī)箱,每個(gè)機(jī)箱裝入2塊2.5英寸硬盤,每塊硬盤都有自己的SATA連接線,但共享一個(gè)電源連接器,這樣4塊硬盤很快就安裝好了。

由4塊32GB英特爾X25-E企業(yè)級(jí)SSD硬盤組成,每塊提供250MB/s的讀取速度,170MB/s的寫入速度,通過(guò)配置組成RAID0或RAID10陣列,讀寫速度比X48和X58芯片組的南橋芯片好多了。

對(duì)RAID10設(shè)置,我們重新進(jìn)行了一翻讀寫速度及IOPS方面的測(cè)試,結(jié)果如下:

讀:576MB/s

寫:294MB/s

詳細(xì)的IOPS:

測(cè)試4

圖 4 RAID10 IOPS測(cè)試結(jié)果

使用RAID10時(shí),可以獲得4塊硬盤的完全并行讀取速度,達(dá)到了近600MB/s的讀取速度,這么高的讀取速度可以滿足任何高讀取要求的應(yīng)用。另外,在IOPS測(cè)試結(jié)果中,你應(yīng)該注意到,對(duì)于小文件傳輸優(yōu)勢(shì)并不明顯,但對(duì)于大文件傳輸,速度將近翻了一倍。

寫入速度也不錯(cuò),快接近300MB/s了,幾乎達(dá)到了2塊硬盤的并行寫入速度,但無(wú)論如何應(yīng)該減少SSD硬盤寫入次數(shù),基于SLC的硬盤如X25-E應(yīng)該有更長(zhǎng)的寫入壽命。

好消息:英特爾將繼續(xù)加大SSD硬盤在桌面及服務(wù)器上應(yīng)用的投入。

壞消息:接口和系統(tǒng)限制開始顯現(xiàn),是時(shí)候重新設(shè)計(jì)南橋芯片了。

恐怖的消息:直到相變內(nèi)存或其它新技術(shù)出現(xiàn),每寫入一次,都會(huì)破壞你的基于NAND閃存的SSD硬盤。

啤酒:8/10

測(cè)試5

圖 5 優(yōu)缺點(diǎn)并存,但優(yōu)點(diǎn)多于缺點(diǎn)


Intel企業(yè)級(jí)SLC硬盤RAID0測(cè)試

我們提出如果將2塊或4塊SSD硬盤組成RAID0陣列進(jìn)行測(cè)試,看看是否有意想不到的測(cè)試結(jié)果吧。我采用了兩塊英特爾32GB SLC高速企業(yè)級(jí)硬盤,利用內(nèi)置的英特爾芯片組配置了RAID陣列,運(yùn)行Vista磁盤帶寬和移動(dòng)設(shè)備IOPS基準(zhǔn)測(cè)試,結(jié)果如下。

測(cè)試6

圖6 SSD硬盤陣列基準(zhǔn)測(cè)試對(duì)比結(jié)果,英特爾SSD領(lǐng)先

這兩塊硬盤都使用它們自己的SATA通道,平均讀取速度攀升到了驚人的468MB/s,幾乎達(dá)到了每秒0.5前兆字節(jié)的速度。

因此,在這種陣列配置下,兩塊硬盤的性能似乎達(dá)到了單塊硬盤的2倍,那么4塊硬盤的結(jié)果又如何呢?因?yàn)槲覀兛偣灿?個(gè)SATA通道,除了這兩塊硬盤占用2個(gè),安裝操作系統(tǒng)的HDD占用1個(gè),SATA DVD占用1個(gè)外,我們還有2個(gè)SATA通道可用,因此我又添加了兩塊硬盤導(dǎo)RAID0陣列中,再次運(yùn)行基準(zhǔn)測(cè)試

測(cè)試結(jié)果顯示,讀取速度并沒有大幅上升,只有476MB/s,并且74k ops/分鐘的測(cè)試結(jié)果有點(diǎn)讓人意外,比兩塊或單塊硬盤的結(jié)果還低,為什么會(huì)這樣?南橋SATA控制器總帶寬是問(wèn)題的根本原因,另外還有到南橋和內(nèi)存的DMI帶寬也是一個(gè)影響因素,但還不清楚為什么硬盤數(shù)量從2塊增加到4塊時(shí)讀取速度沒有再次翻倍的原因。

老實(shí)說(shuō),我寧愿使用兩塊硬盤做RAID0,如果有更多的硬盤,我會(huì)考慮做RAID5或RAID10,因?yàn)樵?strong>英特爾南橋RAID控制器芯片上,從2塊硬盤增加多4塊硬盤的性能優(yōu)勢(shì)并沒有凸顯出來(lái),如果你有獨(dú)立的硬件RAID控制器,不妨做一下4塊SSD硬盤配置成RAID0的效果,我想性能應(yīng)該會(huì)有所提升。

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