IIC-China2011春季展在全球最具規模的IC市場——深圳召開，2月24日電源網記者團一行四人深入到IIC現場，穿梭在各個展臺帶給您最深度的報道。國際整流器公司 (簡稱 IR，紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ，是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。

IR攜業領先的節能電源管理解決方案參展第十六屆國際集成電路研討會暨展覽會（IIC-China 2011）。在本屆展會上，IIC的工程師和銷售人員在深圳會展中心19號展臺上展示IR最新的節能和高功率密度的技術與產品。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“我們很高興能借此行業盛事之機，與工程師分享我們的節能電源管理解決方案，涵蓋IC和分立產品組合到技術平臺，更包括能夠實現95%的效率、降低噪聲和簡化機械構造的iMOTION?電機控制平臺。”

另外，IR在此次展會上展示適合各種應用的最新解決方案，包括汽車、照明、D類音頻和電機控制等應用。所展示的產品和平臺包括適合AC-DC電源的最新SmartRectifier? IC、DirectFET? MOSFET芯片組、SupIRBuck? 系列集成式穩壓器、基準MOSFET和IGBT、適用于變速電機驅動器的iMOTION? 集成設計平臺，以及氮化鎵功率器件平臺GaNpowIR?。

以下是IR公司的某某經理接受電源網采訪，

貴公司擴大包括邏輯電平柵極驅動器件在內的40V至100V汽車專用MOSFET系列，請您簡單談談其主要特色？

IR宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統內燃機 (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。

經過優化的新型車用 MOSFET 系列在 55V 電壓下可提供低至8 mΩ 的導通電阻（RDS(on)）。此外，邏輯電平 MOSFET 器件簡化了柵極驅動需求，同時減少了電路板占用空間和元件數量。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“我們擴充后的包括邏輯電平器件在內的車用MOSFET 系列，為客戶在選擇符合其設計要求的電壓、封裝和功能方面提供了更好的選擇，而 IR 經過驗證的硅技術更為客戶提供了保證。”

新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 溝道技術開發。所有 IR 車用 MOSFET 產品都遵循IR 要求零缺陷的汽車質量理念，并經過了動態和靜態器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標準要求器件在經過1, 000 次溫度循環測試后，導通電阻變化幅度不能超過 20%。然而，經過延長測試后，IR 的新款AU 材料在 5,000 次溫度循環時的最大導通電阻變化只有 12%，體現了這款材料的高強度和耐用性。

新器件符合 AEC-Q101 標準，所采用的環保材料既不含鉛，也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)。

IR 推出新型DirectFETplus 功率MOSFET 系列，可將DC-DC 開關應用效率提升2%,此款產品的主要特點？

IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技術，可為 12V 輸入同步降壓應用提供最佳效率，這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。

IRF6811 和IRF6894 是新系列DirectFETplus 的首批器件，比上一代器件減少了導通電阻 (RDS (on) ) 和柵極電荷 (Qg) ，使其效率大幅提高2%。此外，這些器件具有超低柵極電阻 (Rg) ，通過把DC-DC 轉換器的開關損耗降至最低來進一步提高效率。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“新款IRF6811 和IRF6894 芯片組利用IR 的 DirectFET 封裝技術，并采用IR 的新一代硅技術來優化關鍵的 MOSFET 參數，為下一代計算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空間小的最佳解決方案。”

IRF6811 控制MOSFET 及IRF6894 同步MOSFET 分別以小罐及中罐供貨。25V DirectFETplus 組件結合了業界領先的導通電阻和柵極電荷以及低電荷，將傳導和開關損耗降到最低。IRF6894 還設有集成式單片肖特基二極管，可降低由體二極管傳導和反向恢復導致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET 與上一代器件的占位面積兼容。新器件符合 AEC-Q101 標準，所采用的環保材料既不含鉛，也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS).