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14號參賽作品+higel+10票

其實(shí)，MOSFET上還是有很多參數(shù)非常有用，接下來請higel給大家講講動態(tài)特性方面的參數(shù)[圖片]這些參數(shù)對于軟開關(guān)電源參數(shù)的設(shè)計，損耗的計算，驅(qū)動電路的設(shè)計都是不可或缺的期待樓主的精彩講解[圖片]

那些黑色的晶胞就是損壞點(diǎn)？但從圖片看似乎損壞的具體位置幾乎全部集中是邊緣，請教下其具體的原因。謝謝

溫升的測試點(diǎn)非常關(guān)鍵

10路，交叉調(diào)整率想想都是個頭疼的問題坐看樓主怎么解決這個問題

樓主分析的很全面，辛苦了不過對于第一點(diǎn)的的回復(fù)我認(rèn)為有值得商榷的地方。雪崩失效開始是電壓被鉗位，接著就是電流產(chǎn)生的熱讓MOSFET抗，抗住了就不會失效，否則就掛掉了，其本質(zhì)就是超出了SOA的范疇。具體可以參照論壇里面higel的那個帖子http://www.daogou-taobao.cn/bbs/1508625.html以上在于個人的理解，不對請指教。

這個是有個換算公式的，Infineon的資料上有，我記得分享過這個資料

[圖片]l樓主辛苦了，奉上的都是干貨

此種結(jié)構(gòu)將漏極跟本體金屬結(jié)構(gòu)分開了，在正常工作的時候會不會造成MOSFET本身的結(jié)溫更高？對于MOSFET內(nèi)部來講，因?yàn)門O-220S此種結(jié)構(gòu)的熱阻是大于傳統(tǒng)的TO-220的，但是MOSFET本身的金屬散熱片到外部的金屬散熱片之間的熱阻，TO-220S就有很大的優(yōu)勢了，但這種熱阻上的優(yōu)勢是否能抵消其內(nèi)部熱阻的劣勢？請Javike版主奉上測試對比數(shù)據(jù)，大家就一目了然了

[圖片][圖片][圖片]雷擊浪涌測試，因?yàn)槭菦]有地線，所以決定按照2類電源來測試，只測試L-N2KV的組合波4個相角各10次很不幸的是第一個波形時刻，這個機(jī)子已經(jīng)駕鶴西去，檢查了一下，發(fā)現(xiàn)輸入保險絲已經(jīng)熔斷