先附上IPP60R190C6 datasheet

IPP60R190C6-DS-v02_02-EN.pdf

對(duì)于MOSFET Datasheet上的參數(shù)，你最關(guān)心的是哪一個(gè)/幾個(gè)：

VDS？ID？RDS(on)？Vgs(th)？封裝？Ciss,Coss？Qgs,Qgd,Qg？體二極管？雪崩？……

沒(méi)人回應(yīng)

那我就從VDS開(kāi)始吧！

datasheet上電氣參數(shù)第一個(gè)就是V(BR)DSS，即DS擊穿電壓，也就是我們關(guān)心的MOSFET的耐壓

此處V(BR)DSS的最小值是600V，是不是表示設(shè)計(jì)中只要MOSFET上電壓不超過(guò)600V MOSFET就能工作在安全狀態(tài)？

相信很多人的答案是“是！”，曾經(jīng)我也是這么認(rèn)為的，但這個(gè)正確答案是“不是！”

這個(gè)參數(shù)是有條件的，這個(gè)最小值600V是在Tj=25℃的值，也就是只有在Tj=25℃時(shí)，MOSFET上電壓不超過(guò)600V才算是工作在安全狀態(tài)。

MOSFET V(BR)DSS是正溫度系數(shù)的，其實(shí)datasheet上有一張V(BR)DSS與Tj的關(guān)系圖（Table 17），如下：

要是電源用在寒冷的地方，環(huán)境溫度低到-40℃甚至更低的話，MOSFET V(BR)DSS值<560V，這時(shí)候600V就已經(jīng)超過(guò)MOSFET耐壓了。

所以在MOSFET使用中，我們都會(huì)保留一定的VDS的電壓裕量，其中一點(diǎn)就是為了考慮到低溫時(shí)MOSFET V(BR)DSS值變小了，另外一點(diǎn)是為了應(yīng)對(duì)各種惡例條件下開(kāi)關(guān)機(jī)的VDS電壓尖峰

說(shuō)到電流，那么接下來(lái)就開(kāi)始看ID

相信大家都知道MOSFET最初都是按xA, xV的命名方式（比如20N60~），慢慢的都轉(zhuǎn)變成Rds(on)和電壓的命名方式(比如IPx60R190C6, 190就是指Rds(on)~).

其實(shí)從電流到Rds(on)這種命名方式的轉(zhuǎn)變就表明ID和Rds(on)是有著直接聯(lián)系的，那么它們之間有什么關(guān)系呢？

在說(shuō)明ID和Rds(on)的關(guān)系之前，先得跟大家聊聊封裝和結(jié)溫：

1. 封裝：影響我們選擇MOSFET的條件有哪些？

a) 功耗跟散熱性能 -->比如：體積大的封裝相比體積小的封裝能夠承受更大的損耗；鐵封比塑封的散熱性能更好

b) 對(duì)于高壓MOSFET還得考慮爬電距離 -->高壓的MOSFET就沒(méi)有SO-8封裝的，因?yàn)镚/D/S間的爬電距離不夠

c) 對(duì)于低壓MOSFET還得考慮寄生參數(shù) -->引腳會(huì)帶來(lái)額外的寄生電感、電阻，寄生電感往往會(huì)影響到驅(qū)動(dòng)信號(hào)，寄生電阻會(huì)影響到Rds(on)的值

d) 空間/體積 -->對(duì)于一些對(duì)體積要求嚴(yán)格的電源，貼片MOSFET就顯得有優(yōu)勢(shì)了

2.  結(jié)溫：MOSFET的最高結(jié)溫Tj_max=150℃，超過(guò)此溫度會(huì)損壞MOSFET，實(shí)際使用中建議不要超過(guò)70%~90% Tj_max.

回到正題，MOSFET ID和Rds(on)的關(guān)系:

(1) 封裝能夠承受的損耗和封裝的散熱性能(熱阻)之間的關(guān)系

(2) MOSFET通過(guò)電流ID產(chǎn)生的損耗

(1), (2)聯(lián)立，計(jì)算得到ID和Rds_on的關(guān)系

其實(shí)ID只是個(gè)參考值，損耗【ID*Rds(on)^2】引起的溫升超過(guò)Tj_max才是MOSFET壞掉最終原因

Rds(on)

從MOSFET Rds(on)與Tj的圖表中可以看到：Tj增加Rds(on)增大，即Rds(on)是正溫度系數(shù)，MOSFET的這一特性使得MOSFET易于并聯(lián)使用。

Vgs(th)

相信這個(gè)值大家都熟悉，但是Vgs(th)是負(fù)溫度系數(shù)有多少人知道，你知道嗎？(下面兩圖分別來(lái)自BSC010NE2LS和IPP075N15N3 G datasheet.)

相信會(huì)有很多人沒(méi)有注意到Vgs(th)的這一特性，這也是正常的，因?yàn)楦邏篗OSFET的datasheet中壓根就沒(méi)有這個(gè)圖，這一點(diǎn)可能是因?yàn)楦邏篗OSFET的Vgs(th)值一般都是2.5V以上，高溫時(shí)也就到2V左右。但對(duì)于低壓MOSFET就有點(diǎn)不一樣了，很多低壓MOSFET的Vgs(th)在常溫時(shí)就很低，比如BSC010NE2LS的Vgs(th)是1.2V~2V，高溫時(shí)最低都要接近0.8V了，這樣只要在Gate有一個(gè)很小的尖峰就可能誤觸發(fā)MOSFET開(kāi)啟從而引起整個(gè)電源系統(tǒng)異常。

所以，低壓MOSFET使用時(shí)一定要留意Vgs(th)的這個(gè)負(fù)溫度系數(shù)的特性！！

睡覺(jué)

這個(gè)參數(shù)我一直不知道什么意思。 100V 100Amos  但是不是每個(gè)手冊(cè)里面都有這個(gè)參數(shù)的

并不是這樣的，每個(gè)MOSFET都得有自己的驅(qū)動(dòng)電阻，建議最好每個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻再串聯(lián)一個(gè)小磁珠