發這個帖子之前，我糾結了很久……
論壇里面有很多的高手，對MOSFET的結構，驅動，選用，計算等等都開過專門的帖子講解與討論，比如水蜘蛛大師，sometimes版主等人，講解的非常的詳細，帖子的質量相當的高，我要是再選這個話題，感覺會有點班門弄斧之嫌。
但我平時工作接觸的工程師，以及接觸到的項目，發現他們有些人MOSFET的特性跟參數的理解，幾乎到了爐火純青的地步，也有對MOSFET一知半解的。跟他們接觸讓我學習到了很多的關于MOSFET的知識，也發現自己還有很多東西需要學習的，開這個帖子的目的也是跟大家分享經驗，并向大家學習……
過來學習···
我先談下我個人的理解
1.電壓應力，要保證工作的安全的電壓范圍之內，包括VDS VGS，最好是降額使用，留有一定得余量。
2.電流應力，最起碼要先選擇大于你最大輸入電流的MOS，然后隨著溫度的升高，電流會越小，這個也需要降額使用，留有一定的余量。
3.熱應力，應該根據自己的實際使用來選擇你的散熱和封裝，比方功率了啥的，都是選擇的依據！
總結以下，這三個個人感覺相輔相成，互相聯系的。一般來說，你的管子的耐壓越高，電流越小，導通內阻越大，需要的散熱面越大，所以選擇封裝越大，反之亦然。
還有開關頻率得選擇，開關頻率越高，開關損耗越大，反之亦然。
所以要根據實際情況，在確定管子安全的情況下，盡量選擇耐壓低的，導通內阻小的，結電容小的。不對之處，請冰版指正···
好好學習下！
冰版，一上來就拋這么大個論題啊？
談談自己的一點看法，不對的地方還請多多指教。
首先，MOS為啥會壞？？主要原因是其內部吸收的能量過大導致結溫超過了允許的溫度。所謂的過壓、過流無非都是表象。
對于穩態工作時的電壓應力，應低于額定電壓，根據使用情況確定降額的系數，要注意的是MOS的額定電壓是隨溫度降低而降低的。
對于電流，我個人認為只是個輔助參數，關鍵的是Rdson, 這個才是導致通態損耗的元兇。由于Rdson和電流一般存在負相關，所以習慣上看電流而已。
對于Rdson也并非越小越好，首先Rdson越小意味成本越高，并且通常情況下，Rdson和輸出電容容量也存在負相關。也就是通常Rdson小的MOS其輸出電容相對較大，這意味著同等情況下，通態損耗小的MOS，其開關損耗相對較大，應該根據電路情況進行折中選擇。
關于熱，這是導致MOS損壞的最本質的原因。關注最高允許結溫和散熱方式外，還要關注MOS的熱阻。有的MOS雖然電氣參數完全一樣，但熱阻有可能相差非常大。
MOS管的選擇是個很大的命題，各個參數間也互相牽制，實際中應該根據電路的實際情況折中選擇。
對歸根結底到最后就是積溫，導致個參數性能下降導致損壞，所以需要考慮最惡劣溫度情況下的參數還需要留點余量。
補充一下，有些板子還需處理好MOSFE的焊盤間距以避免跳電，
支持！電壓的選擇大家都了解的，
，選擇MOS管的Rdson和結電容才是最重要，一個是開關損耗一個是導通損耗，對于驅動能力弱的IC時要注意到這一點。
梁版說的非常全面
但我想把這個帖子討論得更深入一些，可以在這個基礎上更深入
比如電壓應力，尖峰電壓（單次脈沖，重復脈沖）要怎樣考慮，計算開關損耗的時候哦，電壓應該怎么去計算等等！
fly版主道出了MOSFET的真諦！
其實MOSFET的所有損壞機理最終都表現在熱擊穿！過壓，過流，過熱等最終的破壞機理都是結溫積累過快，無法將瞬間產生的巨大能量散發出去！
后續我將提供一些不同損壞原因的MOSFET剖切圖給大家看看！
當然，從器件本身特性的角度來說，梁版主說的完全正確，下圖是Infineon 的號稱41mR的MOSFET，看看隨溫度的變化情況！
120度的內阻是25度是的兩倍了！ 所以大家計算損耗的時候，要以實際結溫（或估計的結溫）去查MOSFET的內阻，然后用這個內阻去計算損耗！
sometimes從應用的角度給出的解釋也是正確的！因為不管你的內阻如何變化，變大還是變小，只要流過1A的電流所產生的結溫在允許范圍之內的話，那么就是可靠的！
但實際情況是由于期間本身的內阻增大，導致流過1A的電流結溫會超標，所以我們認為其允許流過的電流就降低了，這也就是17樓的樓主疑惑的原因。
潛力火貼呀 
我也是搬板凳來，只學習不說話的 哈哈哈
!
