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電源常用的開關器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN，這幾種器件均為電壓驅動型器件，不同類型器件的驅動電路也不完全相同，比如MOSFET通常驅動電壓為12V；IGBT驅動電壓達到15V，SiC MOSFET驅動電壓15~18V，需要負壓關斷；GaN根據電壓等級和器件本身結構驅動電壓不相同，200V以下器件用有6V，200V以上Cascode結構器件用15V。應用中，采用雙脈沖實驗測試開關管的動態性能，根據需求設計驅動電路和選擇驅動器。
單管變換器只需要采用單通道驅動器即可，半橋驅動可以采用雙通道驅動、自舉驅動或推挽驅動等。先前在自學驅動電路時找到了一篇講述各種驅動電路設計的文章《高速MOSFET門極驅動電路設計與應用指南》，文章中詳細地講述了各種形式驅動電路的原理和設計方法，需要的朋友可以文末自行下載。
下面講述一下自己在設計DAB變換器時對驅動電路的考慮，DAB變換器由變壓器原副邊兩個全橋電路和磁性器件組成，兩個全橋結構共有8只開關管，設計中為了簡化驅動電路和提高驅動的可靠性，選擇了隔離式雙通道驅動器NSI6602（申請的樣品）。之前做驅動和選擇器件時，查閱國際大廠UCC系列的驅動，由于大環境影響，在價格和缺貨的雙重影響下，選擇了國產器件的替代，找到了上述這款與UCC系列隔離雙通道器件引腳功能對應的器件，在搭建變換器的過程中，該器件發揮了很大的作用，驅動穩定可靠（沒有進行詳細的動態測試）
該器件采用電容隔離方案，是一款高可靠性的隔離式雙通道柵極驅動器IC，可以設計為驅動高達2MHz開關頻率的功率晶體管。每個輸出可以以快速的25ns傳播延遲和5ns的最大延遲匹配來提供最大4A/6A的拉灌電流能力。
半橋驅動電路設計參考
參考設計
根據器件數據書冊和參考設計電路研制了半橋驅動模塊。測試了DAB變換器單移相調制時序。
單移相時序驅動波形
參考文獻
適用于 3 級電動汽車充電站的雙有源全橋變換器參考設計
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