聲明：為了方便學(xué)習(xí)和交流，筆者將學(xué)習(xí)資料整理歸納提供給需要的朋友一起學(xué)習(xí)和討論（僅供參考）。由于本人水平有限，如有不足之處還請(qǐng)見(jiàn)諒。

感謝各位朋友的支持。筆者第84篇原創(chuàng)帖，如果您恰好也對(duì)功率開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)感興趣，希望對(duì)你有幫助，也歡迎一起交流討論。

各位工程師朋友肯定對(duì)開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)電路都了解，目前網(wǎng)絡(luò)上也有很多相關(guān)的資料。作為新人，筆者最初對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)也十分好奇，于是在SCI數(shù)據(jù)庫(kù)中找到了一篇關(guān)于SiC&GaN驅(qū)動(dòng)電路的綜述論文《A Comparison Review of the Resonant Gate Driver in the Silicon MOSFET and the GaN Transistor Application》。文中對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的電路架構(gòu)做了系統(tǒng)綜述，再次了解到在學(xué)術(shù)方面學(xué)者們提出了各種電路架構(gòu)。例如：諧振門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路如圖1、能量回饋諧振門(mén)極驅(qū)動(dòng)如圖2、充放電路徑分離架構(gòu)如圖3以及變壓器隔離諧振驅(qū)動(dòng)如圖4。

 圖1 諧振門(mén)極驅(qū)動(dòng)                    圖2 能量回饋諧振門(mén)極驅(qū)動(dòng)

圖3 充放電路徑分離驅(qū)動(dòng)                圖4 能量回饋諧振門(mén)極驅(qū)動(dòng)

對(duì)應(yīng)的每一篇學(xué)術(shù)論文對(duì)電路特性進(jìn)行了詳細(xì)的分析。通過(guò)查閱文獻(xiàn)發(fā)現(xiàn)目前已有許多學(xué)者對(duì)寬禁帶器件驅(qū)動(dòng)電路方面做了許多研究，主要聚焦在諧振驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路動(dòng)態(tài)特性，負(fù)壓驅(qū)動(dòng)等方面。

由于寬禁帶器件具有諸多的優(yōu)勢(shì)，但在高頻驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中也面臨諸多挑戰(zhàn)。例如：高頻帶來(lái)驅(qū)動(dòng)損耗的劇增、寄生參數(shù)帶來(lái)的橋臂串?dāng)_問(wèn)題等。查閱資料發(fā)現(xiàn)對(duì)于頻率增加帶來(lái)的損耗提出了諧振驅(qū)動(dòng)的方法，寄生參數(shù)帶來(lái)的橋臂串?dāng)_通常采用改變器件封裝、增加有源鉗位電路和增加負(fù)壓驅(qū)動(dòng)等方法。現(xiàn)在各大廠商也都有推出相關(guān)的產(chǎn)品，比如：ROHM、TI、infineon半導(dǎo)體公司等都對(duì)應(yīng)有相關(guān)的產(chǎn)品。在消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品電源應(yīng)用中，各大廠商都有對(duì)出自己GaN器件的集成驅(qū)動(dòng)方法，其中PI針對(duì)反激拓?fù)涞入娐吠瞥隽艘幌盗懈呒啥鹊墓β势骷Ｊ沟矛F(xiàn)在例如手機(jī)充電器、電源適配器的功率密度越做越高、體積越來(lái)越小，但是隨之成本也在增加。之前買(mǎi)手機(jī)之類(lèi)的產(chǎn)品充電器都是做為配件贈(zèng)送，現(xiàn)在想要一個(gè)性能不錯(cuò)的充電器可以說(shuō)價(jià)值不菲，偽劣產(chǎn)品除外。

ROHM SiC柵極驅(qū)動(dòng)器

PI門(mén)極驅(qū)動(dòng)器目錄

說(shuō)回驅(qū)動(dòng)，在網(wǎng)上查找驅(qū)動(dòng)相關(guān)實(shí)用設(shè)計(jì)時(shí)，發(fā)現(xiàn)了一個(gè)很好的資料分享給大家。主要講述的是MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的綜述，設(shè)計(jì)的電路架構(gòu)可以說(shuō)都是非常實(shí)用的方法，文中講述了各個(gè)電路的工作原理。相關(guān)內(nèi)容可以查閱摘要或文末資料，有疑問(wèn)可以一同交流學(xué)習(xí)。