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INN3674C設(shè)計(jì)的16.5W隔離反激式

        InnoSwitchTM3-EP系列芯片內(nèi)部集成了725 V的功率MOSFET以及初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的控制器，這些芯片均集成了初級(jí)和次級(jí)多模準(zhǔn)諧振反激式控制器，高電壓場(chǎng)效應(yīng)管，次級(jí)傳感和同步整流驅(qū)動(dòng)器，效率也可以做的比較高，可以做到90%以上。 

      電源用INN3674C芯片設(shè)計(jì)的用于16.5W隔離反激式設(shè)計(jì)，雙輸出為5 V和9 V，電流大小分別為1.5 A和1 A，其滿載時(shí)效率大于86％。雙輸出反激電源主要由輸入濾波器和整流器、原邊電路和副邊電路三大部分組成。INN3674C采用InSOP-24D封裝，該封裝為引腳封裝，具備安全、可靠、成本低的特點(diǎn)。

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gxg1122
LV.10
2
2020-04-11 21:29
這個(gè)電路設(shè)計(jì)支持快充協(xié)議QC3.0標(biāo)準(zhǔn)嗎？
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紫蝶
LV.9
3
2020-04-12 21:11
@gxg1122
這個(gè)電路設(shè)計(jì)支持快充協(xié)議QC3.0標(biāo)準(zhǔn)嗎？
這個(gè)電路設(shè)計(jì)是滿足快充協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)的，輸出功率也比較大。
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gxg1122
LV.10
4
2020-04-13 12:25
@紫蝶
這個(gè)電路設(shè)計(jì)是滿足快充協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)的，輸出功率也比較大。
這個(gè)是比較常見(jiàn)的隔離方式的大功率小體積的電源設(shè)計(jì)，效率比較高。
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lx25hb
LV.8
5
2020-04-13 12:51
INN3674優(yōu)異的恒壓/恒流精度，不受變壓器設(shè)計(jì)或外圍元件的影響
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cb_mmb
LV.8
6
2020-04-13 13:00
INN3674內(nèi)置的同步整流(SR)驅(qū)動(dòng)器，允許使用低成本的低壓MOSFET進(jìn)行同步整流，并可提高系統(tǒng)效率。
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dbg_ux
LV.9
7
2020-04-13 13:12
   InnoSwitch3系列的芯片散熱性能好，減小損耗的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了縮減產(chǎn)品的體積，提升電源的效率。
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xxbw6868
LV.10
8
2020-04-13 13:17
@cb_mmb
INN3674內(nèi)置的同步整流(SR)驅(qū)動(dòng)器，允許使用低成本的低壓MOSFET進(jìn)行同步整流，并可提高系統(tǒng)效率。
這個(gè)內(nèi)置的同步整流驅(qū)動(dòng)器算是一種比較先進(jìn)的技術(shù)了吧，PI芯片只有這個(gè)系列和LYTSWITCH-6有這個(gè)功能。
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kckcll
LV.9
9
2020-04-13 13:33
@dbg_ux
  InnoSwitch3系列的芯片散熱性能好，減小損耗的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了縮減產(chǎn)品的體積，提升電源的效率。
INN3674具有多種安全保護(hù)，比如線路上的欠壓或過(guò)壓保護(hù)，輸出端的限壓限流保護(hù)以及過(guò)熱關(guān)斷保護(hù)等。
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紫蝶
LV.9
10
2020-04-13 17:59
@xxbw6868
這個(gè)內(nèi)置的同步整流驅(qū)動(dòng)器算是一種比較先進(jìn)的技術(shù)了吧，PI芯片只有這個(gè)系列和LYTSWITCH-6有這個(gè)功能。
芯片內(nèi)置同步整流電路，電源的輸出效率高，設(shè)計(jì)也簡(jiǎn)單，不需要自己設(shè)計(jì)同步電路。
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紫蝶
LV.9
11
2020-04-13 18:03
@dbg_ux
  InnoSwitch3系列的芯片散熱性能好，減小損耗的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了縮減產(chǎn)品的體積，提升電源的效率。
開(kāi)關(guān)電源同步整流需要全面測(cè)試，選擇合適的器件。內(nèi)部集成了這些測(cè)試就簡(jiǎn)單了。
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紫蝶
LV.9
12
2020-04-13 18:05
@cb_mmb
INN3674內(nèi)置的同步整流(SR)驅(qū)動(dòng)器，允許使用低成本的低壓MOSFET進(jìn)行同步整流，并可提高系統(tǒng)效率。
這個(gè)選擇低成本的MOSFET進(jìn)行同步整流，優(yōu)勢(shì)是降低產(chǎn)品成本，且性能不減。
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fengxbj
LV.8
13
2020-04-13 19:04
@紫蝶
芯片內(nèi)置同步整流電路，電源的輸出效率高，設(shè)計(jì)也簡(jiǎn)單，不需要自己設(shè)計(jì)同步電路。
主控電源芯片封裝薄而小，適合超薄小尺寸的電源設(shè)計(jì)需求。
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2020-04-14 12:50
@kckcll
INN3674具有多種安全保護(hù)，比如線路上的欠壓或過(guò)壓保護(hù)，輸出端的限壓限流保護(hù)以及過(guò)熱關(guān)斷保護(hù)等。
該系列的開(kāi)關(guān)電源有較高的輸出功率，而不同型號(hào)的的開(kāi)關(guān)電源IC有不同的輸出功率
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trllgh
LV.9
15
2020-04-14 12:53
@紫蝶
這個(gè)選擇低成本的MOSFET進(jìn)行同步整流，優(yōu)勢(shì)是降低產(chǎn)品成本，且性能不減。
另外在SR FET上連接一個(gè)肖特基二極管可進(jìn)一步將效率提高0.1%-0.2%，但是會(huì)增加成本。
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xxbw6868
LV.10
16
2020-04-14 12:57
@lx25hb
INN3674優(yōu)異的恒壓/恒流精度，不受變壓器設(shè)計(jì)或外圍元件的影響
INN3674的初級(jí)旁路引腳電容用作內(nèi)部初級(jí)側(cè)控制器的供電去耦電容，可決定內(nèi)部MOSFET的電流限流點(diǎn)。
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spowergg
LV.10
17
2020-04-14 13:01
@kckcll
INN3674具有多種安全保護(hù)，比如線路上的欠壓或過(guò)壓保護(hù)，輸出端的限壓限流保護(hù)以及過(guò)熱關(guān)斷保護(hù)等。
當(dāng)給開(kāi)關(guān)電源供給230V左右的交流電壓時(shí)，敞開(kāi)式功率應(yīng)用范圍是12-45W，
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kckcll
LV.9
18
2020-04-15 13:20
@xxbw6868
INN3674的初級(jí)旁路引腳電容用作內(nèi)部初級(jí)側(cè)控制器的供電去耦電容，可決定內(nèi)部MOSFET的電流限流點(diǎn)。
4.7μF的電容選擇升高限流點(diǎn)，0.47μF的電容選擇標(biāo)準(zhǔn)限流點(diǎn)。
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dbg_ux
LV.9
19
2020-04-15 13:28
@kckcll
INN3674具有多種安全保護(hù)，比如線路上的欠壓或過(guò)壓保護(hù)，輸出端的限壓限流保護(hù)以及過(guò)熱關(guān)斷保護(hù)等。
當(dāng)給開(kāi)關(guān)電源供給85-265V范圍內(nèi)的交流電壓時(shí)，敞開(kāi)式功率應(yīng)用范圍是10-40W。
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svs101
LV.8
20
2020-04-15 14:31
@kckcll
4.7μF的電容選擇升高限流點(diǎn)，0.47μF的電容選擇標(biāo)準(zhǔn)限流點(diǎn)。
這個(gè)看設(shè)計(jì)需要，外接電容容值不同，電源設(shè)計(jì)的限流點(diǎn)是不同的。
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svs101
LV.8
21
2020-04-15 14:31
@紫蝶
芯片內(nèi)置同步整流電路，電源的輸出效率高，設(shè)計(jì)也簡(jiǎn)單，不需要自己設(shè)計(jì)同步電路。
PI芯片內(nèi)置同步整流控制器，電路設(shè)計(jì)就簡(jiǎn)單化，且產(chǎn)品尺寸也縮小了。
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svs101
LV.8
22
2020-04-15 14:38
@dbg_ux
當(dāng)給開(kāi)關(guān)電源供給85-265V范圍內(nèi)的交流電壓時(shí)，敞開(kāi)式功率應(yīng)用范圍是10-40W。
PI的這個(gè)系列芯片設(shè)計(jì)寬范圍電壓輸入，輕載或重載時(shí)整體效率比較高。
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lx25hb
LV.8
23
2020-04-15 17:47
@trllgh
另外在SRFET上連接一個(gè)肖特基二極管可進(jìn)一步將效率提高0.1%-0.2%，但是會(huì)增加成本。
由于低壓MOSFET的成本較低，SR FET可在不增加成本的前提下提供顯著的效率提升。
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cb_mmb
LV.8
24
2020-04-15 17:53
@kckcll
4.7μF的電容選擇升高限流點(diǎn)，0.47μF的電容選擇標(biāo)準(zhǔn)限流點(diǎn)。
為確保獲得正確的電流限流值，建議僅使用0.47μF/4.7μF的電容。
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spowergg
LV.10
25
2020-04-15 17:59
@trllgh
另外在SRFET上連接一個(gè)肖特基二極管可進(jìn)一步將效率提高0.1%-0.2%，但是會(huì)增加成本。
也可以通過(guò)將柵極驅(qū)動(dòng)同步整流引腳短接至接地，可以使用肖特基二極管或快速恢復(fù)二極管進(jìn)行輸出整流。
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xxbw6868
LV.10
26
2020-04-15 18:04
@kckcll
4.7μF的電容選擇升高限流點(diǎn)，0.47μF的電容選擇標(biāo)準(zhǔn)限流點(diǎn)。
這個(gè)電容雖然可以使用電解電容，但在雙面板上最好用貼片的X7R陶瓷電容.對(duì)電容容量誤差也是有要求的。
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2020-06-17 17:49
@gxg1122
這個(gè)是比較常見(jiàn)的隔離方式的大功率小體積的電源設(shè)計(jì)，效率比較高。
選擇使用INN3674C芯片主要就是因?yàn)?/span>簡(jiǎn)化同步整流變換的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。
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@cb_mmb
INN3674內(nèi)置的同步整流(SR)驅(qū)動(dòng)器，允許使用低成本的低壓MOSFET進(jìn)行同步整流，并可提高系統(tǒng)效率。
管理器內(nèi)部的次級(jí)側(cè)檢測(cè)和同步整流驅(qū)動(dòng)器完全簡(jiǎn)化
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k8882002
LV.9
29
2021-09-16 14:22
@xxbw6868
INN3674的初級(jí)旁路引腳電容用作內(nèi)部初級(jí)側(cè)控制器的供電去耦電容，可決定內(nèi)部MOSFET的電流限流點(diǎn)。

如果把電源按照平均功率設(shè)計(jì)但允許超出額定最大電流的 50% 的峰值電流通過(guò)，則電源會(huì)比較小。

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2021-09-16 14:41
@k8882002
如果把電源按照平均功率設(shè)計(jì)但允許超出額定最大電流的50%的峰值電流通過(guò)，則電源會(huì)比較小。

適合較低平均功率的磁性元件是可以應(yīng)對(duì)峰值功率的，雖然在峰值期間的效率稍微低些。

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wengnaibing
LV.9
31
2021-09-16 14:44
@眼睛里的海
適合較低平均功率的磁性元件是可以應(yīng)對(duì)峰值功率的，雖然在峰值期間的效率稍微低些。

這樣不會(huì)顯著影響電源的效率，反而較小尺寸的變壓器會(huì)減小整體尺寸和降低成本

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