InnoSwitch3-CP將一次側(cè)、二次側(cè)和回授電路整合在單一表面接合封裝中。在最新發(fā)布的系列成員中，"GaN" 切換開關(guān)取代了 IC 一次側(cè)的傳統(tǒng)硅高壓電晶體，減少了電流流過時(shí)的導(dǎo)通損耗，并大大降低了運(yùn)作期間的切換損失。GaN 是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，與硅相比具有顯著的效率和尺寸優(yōu)勢(shì)。這樣可以大大減少能源浪費(fèi)，從而提高節(jié)省空間的 InSOP-24D 封裝的效率和功率輸送。PI INN3279C內(nèi)置750V PowiGaN技術(shù)，適配器密閉環(huán)境中寬電壓輸入可輸出65W，這里降額使用是為了降低發(fā)熱。
使用 InnoSwitch3-CP（采用 PowiGaN 技術(shù)的 INN3279C-H215）的 60 W USB PD Type-C 充電器（5 V/3 A；9 V/3 A；15 V/3 A；20 V/3 A 輸出）該充電器采用INN3279芯片設(shè)計(jì)的低成本、高效率快速充電適配器，為了提高效率，還必須選擇具有較低傳導(dǎo)損耗的有源器件。在InnoSwitch3-CP系列控制器中，支持同步整流，對(duì)于次級(jí)整流器（SR），選擇MOSFET而不是肖特基二極管，只要外接的mos開關(guān)管選擇最低的RDS（on）可大大提高電源的效率。PI全集成IC內(nèi)部集成準(zhǔn)諧振反激控制器和集成的主開關(guān)管，同步整流控制器和內(nèi)置反饋，以及恒功率輸出。
