氮化鎵是目前能同時實現(xiàn)高頻、高效、大功率代表性材料,第一二代半導(dǎo)體材料工藝已經(jīng)逐漸接近物理極限,在微電子領(lǐng)域的摩爾定律開始逐步失效,而第三代半導(dǎo)體是可以超越摩爾定律的。第三代半導(dǎo)體材料包括了碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶化合物半導(dǎo)體,GaN作為其代表之一,在高溫、高耐壓以及承受大電流、擊穿電壓等多個方面具備明顯的優(yōu)勢,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
目前GaN市場應(yīng)用比較廣泛,光伏、風(fēng)電(電能生產(chǎn)),直流特高壓輸電(電能傳輸),新能源汽車、工業(yè)電源、機(jī)車牽引、消費電源(電能使用)等領(lǐng)域都有GaN的產(chǎn)品,在新能源汽車領(lǐng)域主要是車載充電器OBC、DC-DC/DC-AC、BMS電池管理系統(tǒng)等。目前新能源建設(shè)、新能源汽車都是比較火爆,新能源汽車數(shù)量的不斷增長、滲透率的提升,GaN潛在市場空間巨大。
PI的GaN產(chǎn)品還是比較有競爭力的,深耕多年,有很多技術(shù)積累,做了很多優(yōu)化,比如無需負(fù)壓驅(qū)動,外圍電路極大簡化,方便用戶使用。未來PI的GaN的產(chǎn)品會越來越多,成本降低,會逐漸推動電源行業(yè)的快速革新。