這個電子負(fù)載從構(gòu)思到實(shí)物制作再到調(diào)試完成前前后后花了大概半年多的時間，主要是畫圖擼板和調(diào)試都只有抽下班的空閑時間來搞，有些時候整疲憊了就想偷偷懶，所以搞了這么長的時間。其實(shí)功能也很簡單，只是電流大點(diǎn)、功率大點(diǎn)。
設(shè)計這款電子負(fù)載的一個目的是拿來給電池測容量用的，所以電流和功率設(shè)計的比較大，電流有50A，功率600W，電壓還是常規(guī)電壓150V，另一個目的呢是為后面折騰交流電子負(fù)載打個基礎(chǔ)。
閑話大概就這么多吧，接下來進(jìn)入主題，先來說說更新計劃：
第一更：電子負(fù)載設(shè)計中的一些理論計算
第二更：原理圖設(shè)計
第三更：實(shí)物調(diào)試
第四更：整體測試
第五更：樣機(jī)調(diào)試過程中的一些問題匯總
大體安排就這樣，每次更新的文字內(nèi)容盡量語言精煉，嘿嘿嘿~文字不夠圖來湊，但是重點(diǎn)部分我還是會敘述多一點(diǎn)。額，文字排版能力不是特別好，可能后續(xù)版面會有點(diǎn)亂。
明天晚上來把第一更內(nèi)容填進(jìn)去。
咦~我還以為星球里面發(fā)文章和論壇里面的一樣的可以在下面回復(fù)勒~下面開始正題
第一更：電子負(fù)載設(shè)計中的一些理論計算
相比較于各種各樣的開關(guān)電源拓?fù)渲械膹?fù)雜計算，其實(shí)電子負(fù)載的理論計算很少（可能是因?yàn)槲易龅暮芎唵危?，其中核心就是計算MOS管可以承受的最大管耗。相信很多壇友再自己做電子負(fù)載時第一個去參考的就是MOS管手冊里給的PD，比如下圖，做負(fù)載最常用的IRFP260,手冊里面給的最大PD為300W,但是這個300W是有條件的，手冊里面給的PD是強(qiáng)制保持MOS管的外殼為25℃得到的，實(shí)際應(yīng)用的時候能受散熱條件限制，根本無法達(dá)到300W的熱功率。
所以，在設(shè)計MOS的管耗的時候我們要根據(jù)另一個重要的參數(shù)來計算，那就是熱阻Rth，散熱跟我們的過電流是類似的，電路中電流大小受電壓和電阻影響，那么散熱能力同樣的也受溫差和熱阻的影響，這里的熱阻的作用和電路里面的電阻是類似的，專門阻礙熱傳遞的。
同樣是IRFP260的手冊資料，可以看到，手冊給出的熱阻有兩個，一個是Junction-Case,一個是Case-Sink，前面的是MOS管內(nèi)部晶圓到MOS外殼的熱阻，后面的是外殼到散熱面的熱阻，在計算功耗的時候就需要這兩個參數(shù)，在計算MOS功耗時，我們可以先預(yù)設(shè)使用的環(huán)境溫度為25℃，允許的溫升為60℃，那么根據(jù)公式P=ΔT/Rth可以得到MOS管的最大允許耗散功率為81W，遠(yuǎn)低于手冊里面給的300W。
當(dāng)然，這只是一個簡略的計算，實(shí)際MOS最大的耗散功率和他的散熱情況相關(guān)聯(lián)，比如風(fēng)冷、自冷或者水冷等，十分具體的計算屬于熱力學(xué)方面的知識，受限于我的知識水平無法進(jìn)行十分有效的分析，當(dāng)然作為一個粗略的參考還是可以的。
計算完MOS的功率后就是計算MOS的電流了，同樣的，MOS管手冊里面給的電流數(shù)值并不能作為我們實(shí)際使用時候的數(shù)值，比如IRFP260手冊給出的電流值為50A，我們在實(shí)際應(yīng)用的時候會遠(yuǎn)低于這個數(shù)值的，做負(fù)載用時，一般最大使用其1/5左右的額定值，電流值大小也會根據(jù)散熱情況進(jìn)行調(diào)整。
到這兒，關(guān)于電子負(fù)載的兩個重要參數(shù)就確定好了，根據(jù)熱阻可以得到單個MOS的最大耗散功率，根據(jù)額定電流可以得到單個MOS的最大過電流能力，剩下的就是最大負(fù)載電壓了，這個比較簡單，根據(jù)MOS管的耐壓降額70%-80%使用即可。
在三個關(guān)鍵參數(shù)計算完畢后可以看到我的最大電壓×最大電流≠最大耗散功率，他們是一個“或“的關(guān)系，也就是在實(shí)際使用中這三個參數(shù)都不能超過最大值。
剩下的就是一些輔助參數(shù)計算了，比如我調(diào)節(jié)電流時多少V對應(yīng)多少A，我的采樣電阻怎么算怎么取等等都會放在原理圖設(shè)計章節(jié)去敘述，這一更到這兒就差不多結(jié)束了。
不知道該放什么圖，那就放個表情包放松下吧，哈哈哈嗝兒~
