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關于晶體，已經發(fā)過兩篇，主要講了關鍵術語 和 頻偏計算：
②晶體在使用過程中需要注意哪些點？(二)--PCB板實際頻偏計算
前幾天看到有粉絲留言讓講一下“無源晶體起振的條件”，這是個不錯的問題，我覺得有必要聊聊，所以就有了這第3篇文章。
1、一道面試題
照例，先拋出來一道面試題：“PCB板上的晶體不起振，可能是什么原因？”。這個問題比較常規(guī)，筆試題中標的概率比較高，實際使用時也可能會碰到這類問題。如何回答，10秒時間自己先思考下。
2、負性阻抗(-R)是什么？
要回答這個問題，我覺得有必要先搞清楚什么是晶體的負性阻抗。
負性阻抗，英文:Negative Resistance；簡寫:-R；單位:Ω。在網上搜了下，找到如下描述。
負性阻抗是指從石英晶體共振子的二個端子往振蕩線路看過去，所得到振蕩線路在振蕩頻率時的阻抗特性值。 -- 源自網絡
還有一種解釋，是從Murata網站看到的。
負性阻抗是指用阻抗表示的振蕩電路的信號放大能力。 --Murata 網站
這兩個定義，看起來都比較偏學術，不太通俗。我個人傾向于Murata的解釋。大家知道大概意思就行了，不必糾結，重點是下面的內容。
3、(-R) 能做什么？
上面的定義，你可以不理解不清楚，但是下面這個你必須搞清楚弄明白。
敲黑板，這才是重點！！！
負性阻抗(-R)用于表征振蕩裕量，即從振蕩到振蕩停止的裕量。
負性阻抗(-R)不是晶體的內部參數， 而是PCB電路的實測值，是晶體在PCB線路設計時的一個重要參數，可用于判斷晶體振蕩電路的穩(wěn)定性。
如果在PCB上測出來的負性阻抗偏小，則表示該晶體振蕩器的線路設計起振裕量不足，設計不合理。
4、(-R) 測量方法及步驟
說完負性阻抗(-R)的作用，再說下它的測量方法。
上圖為負性阻抗測試的示意圖。圖中，Xtal是晶體，Rf是負反饋電阻，Rd是限流電阻，CL1/CL2是外部匹配電容，Vr是可調電阻。
負性阻抗(-R)的測試步驟：
①將可調電阻Vr與晶體串聯接入回路，如上圖。Vr是我們?yōu)榱藴y試負性阻抗，刻意添加進去的。
②調節(jié)可變電阻Vr，使回路起振或停振。當回路剛停振時，測試Vr的阻值；
③通過公式|-R|=RL+Vr，計算得到負性阻抗值。
特別說明：RL是晶體加負載電容的諧振阻抗，不是ESR。網上看有些文章，直接寫|-R|=ESR+Vr，這是不對的，不要被誤導。
5、(-R) 阻值定量分析
根據上面的測量，此時已經得出負性阻抗(-R)的阻值|-R|。
既然負性阻抗|-R|偏小表示晶體起振裕量不足，那|-R|阻值多少才算是一個合理值呢？
現在我們從定性分析已經進階到定量分析，繼續(xù)往下看。
至少是規(guī)格書標稱ESR的5倍，才合適！阻值越大，振蕩裕量越高，說明振蕩越穩(wěn)定。
6、實際案例
上面講的一大堆，都是理論知識。如果僅僅這樣就結束本篇文章，那太不符合“硬件微講堂”貼近實戰(zhàn)的秉性，更體現不出來專業(yè)性。
上圖是某品牌的晶體匹配測試報告中負性阻抗(-R)和振蕩裕量計算部分。
可以看出：可調電阻R實測值為769Ω，RL為10Ω，則負性阻抗|-R|=779Ω。而該晶體標稱的ESR(max)=60Ω，則振蕩裕量(倍率)=|-R|/ESR=12.98倍，大于要求的5倍，滿足起振要求。
7、晶體不起振的原因…
再回到文章開頭提到的面試題“PCB板上的晶體不起振，可能是什么原因？”，負性阻抗偏小，振蕩裕量不夠，就是一個可能性比較大的原因。但這并不是唯一的原因，還有其他原因么？
當然有，其他原因有哪些，歡迎你在留言區(qū)交流。
8、晶體不起振，如何調整？
這也是一個不錯的問題，我說2種方法：
方法①：減小外部匹配電容CL1/CL2，以增大負性阻抗；
方法②：更換標稱值ESR更小的晶體，以增大振蕩裕量；
歡迎你在留言區(qū)交流調整措施。
9、總結
聊到這里，今天要說的也差不多了，總結下今天聊的內容：
①(-R)是指用阻抗表示的振蕩電路的信號放大能力；
②(-R)用于表征振蕩裕量，即從振蕩到振蕩停止的裕量；
③(-R)不是晶體的內部參數， 而是PCB電路的實測值；
④(-R)可用于判斷晶體振蕩電路的穩(wěn)定性；
⑤(-R)的測試環(huán)境示意圖和測試步驟；
⑥(-R)的計算公式：|-R|=RL+Vr，特別說明RL不是ESR；
⑦(-R)的定量分析：至少是規(guī)格書標稱ESR的5倍，才合適！
⑧晶體不起振的原因：可能的原因之一是負性阻抗偏小，振蕩裕量不夠。
附加題：
⑨晶體不起振的原因，除了負性阻抗偏小，其他還有哪些原因？歡迎留言交流。
⑩晶體不起振，如何調整？已給出2種方法，歡迎留言交流。
怎么樣？一個簡短的問題，給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里，能否晉升到陸地神仙境，一劍開天門，就看你的造化了！
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