目前測試電機波形的方式我看很少有人來講，今天說說測試上下管的準備工作

     測試上管一般使用差分探頭測試GS和DS的電壓波形，測試下管用單端即可，當然沒有差分探頭，也可以使用單端測試，參考地要選擇電機的功率低，一般對于低速高壓信號，說點題外話：layout不建議分太多地，否則會造成參考地過小，回流路徑過大，干擾也越大，一般高低各一個地就好了，我看好多人設計都是將地分割很多部分，根據多年產品經驗來說，高速低速高壓低壓數字模擬也不是絕對要分割開的，如果速率不快的電路可以數字模擬一個地，單獨加磁珠隔離下，高低壓這個最好要分隔開，根據能量來算，能量越大輻射干擾能力肯定是越強，干擾都是以能量的形式散發的，好了，這里就不多講了，感興趣的大家可以討論。

這是測試過程中的GS回勾，一般我們選用的mos導通閾值一般是2v左右或者是3v導通，這個時候的回勾有誤導通情況，這樣當下管打開的時候，上下管會出現同時導通的風險，這樣電源馬上就會短路了，輕則燒mos，重則燒板子，這個時候就要選用閾值稍微高點的mos，當回勾的尖峰電壓低于導通mos，這個時候是比較符合需要的，一般調整GS端預留的參數，至于怎么調整，這里不做過多的贅述。

還有這種波形出現，這個也需要調整，

一般做法是：

1.增大上橋RG電阻，減緩柵極充放電速度；

2.DS之間并聯RC阻容；

3.適當增加Cgs電容。