SCALE-iDriver系列門極驅(qū)動器IC可同時為IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT提供驅(qū)動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V和1700 V驅(qū)動器應(yīng)用的產(chǎn)品。

FluxLink技術(shù)可省去壽命相對較短的光電器件和相關(guān)補償電路，從而增強系統(tǒng)運行的可靠性，同時降低系統(tǒng)的復(fù)雜度先進的系統(tǒng)安全和保護功能（常用于中壓和高壓應(yīng)用）可增強產(chǎn)品可靠性創(chuàng)新的eSOP封裝具有9.5 mm爬電距離，并且相對漏電起痕指數(shù)(CTI)為600，可確保實現(xiàn)更大的工作電壓裕量和更高的系統(tǒng)可靠性碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動器IC可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級，經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動電壓，來滿足市售SiC MOSFET的需求AEC-Q100認證汽車應(yīng)用SCALE-iDriver IC可在125°C結(jié)溫下提供8A驅(qū)動，并且可在不使用推動級的情況下支持輸出功率在數(shù)百千瓦以內(nèi)的600V、650V、750V和1200V IGBT和SiC逆變器設(shè)計

SIC1181KQ和SIC1182KQ是適合SiC MOSFET的單通道門極驅(qū)動器。該器件利用Power Integrations革命性的固體絕緣FluxLink技術(shù)實現(xiàn)了加強絕緣。其峰值輸出驅(qū)動電流可達±8A，可直接驅(qū)動600A/800A（典型值）以下的開關(guān)器件。

該器件還具有原方和副方欠壓保護(UVLO)、帶溫度和過程補償輸出阻抗的軌到軌輸出等更多特性，可確保產(chǎn)品即使在嚴苛的條件下也能安全工作。

此外，這款門極驅(qū)動器IC還具有AAC高級有源鉗位（關(guān)斷時）特性，可通過一個檢測管腳同時提供短路保護（開通時和開通過程中）和過壓限制。 對于具有電流檢測端子的SIC MOSFET，可實現(xiàn)可調(diào)過流檢測。