集成了多模式準(zhǔn)諧振(QR)/CCM反激式控制器、650 V MOSFET、次級(jí)側(cè)檢測(cè)和同步整流驅(qū)動(dòng)器。

反饋方式采用內(nèi)部集成的FluxLink技術(shù)，且滿(mǎn)足HIPOT高壓絕緣要求。

MinSOP-16A封裝確實(shí)很薄，這樣可以把電源的體積設(shè)計(jì)得比較小。

芯片SR的MOSFET的低正向壓降則可確保出色的交叉調(diào)整率性能。

初次級(jí)間隔離的反饋機(jī)制、同步整流和次級(jí)側(cè)控制，可簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)。

效率要高，要想辦法降低損耗，在電源的開(kāi)關(guān)時(shí)間里電壓和電流存在交疊區(qū)域，因而會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)的損耗。

InnoSwitch3-TN反激式電源跟innoswitch一樣，效率高，并且空載功耗低于5mW。

INN3073M最大輸出21W,非常適合高達(dá)21W的家電和工業(yè)輔助電源上的應(yīng)用。

InnoSwitch3系列效率高，主要是損耗降低了，這樣也可以減小散熱面積。

隨著頻率的升高，這種損耗會(huì)逐漸加大而限制開(kāi)關(guān)電源頻率的提高

FluxLink技術(shù)可以使電源具備極快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)和較低的輸出紋波。紋波大小對(duì)數(shù)字電路很關(guān)鍵。也對(duì)電解電容的壽命有一定的影響。

電源由于在轉(zhuǎn)換過(guò)程中電壓和電流短時(shí)間內(nèi)的急劇變化，會(huì)產(chǎn)生很大的開(kāi)關(guān)噪聲，形成電磁干擾EMI。

這樣無(wú)光耦器的電路也大大增加的電源的可靠性，絕緣性也比較高。

InnoSwitch3-TN剛出來(lái)不太久，該器件具有完善的安全功能，其中包括輸出過(guò)流和過(guò)溫保護(hù)等功能。效率等參數(shù)也很高。就是IC成本比較貴。

輸出電壓電流精度也都比較高，在負(fù)載非常輕的情況下也可以實(shí)現(xiàn)比較穩(wěn)定的高效率。

集成同步整流技術(shù)，周?chē)碾娮悠骷伲w簡(jiǎn)化甚多，最大輸出21W滿(mǎn)足目前很多的手持設(shè)備充電！

這種方案成本比較低吧

如果無(wú)源衰減電路不足以避免不當(dāng)?shù)目煽毓韫ぷ鳎敲纯梢蕴砑右粋€(gè)有源衰減電路

限流點(diǎn)控制節(jié)省了次級(jí)所需的電流檢測(cè)元件，節(jié)省了電源的成本

電源模塊供電與小信號(hào)電路分開(kāi)布局，可有效避免電源模塊對(duì)小信號(hào)電路造成的干擾

布局不合理旳接地和電源布局往往會(huì)引起系統(tǒng)浮現(xiàn)不穩(wěn)定,高噪聲和其他無(wú)法解釋的問(wèn)題。

調(diào)光電源在確保初始輸入電流量可以滿(mǎn)足可控硅的維持電流要求，特別是在導(dǎo)通角較小的情況下。

器件內(nèi)部低功耗電路是允許從漏極引腳汲取電流連續(xù)工作的

只要與任何其它輸出不共用一個(gè)電感，就可以得到任意數(shù)量的非穩(wěn)定的輸出電壓

控制模式進(jìn)行了優(yōu)化，可快速響應(yīng)負(fù)載的變化