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產(chǎn)品做的很漂亮！

我們億微半導(dǎo)體專門做進(jìn)口品牌MOSFET替代，有需求可以聯(lián)系！

這是一個死命題，平面MOS和Coolmos的差異就在這里，同等面積大小的晶圓：PlannerMOS擁有較大的CISS和EAS能力，但是內(nèi)阻會偏大，好處是EMC效果好，抗沖擊能力強，缺點就是導(dǎo)通損耗過高，產(chǎn)品效率低；Coolmos可以擁有較小Rdson和Ciss，優(yōu)點是導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗都會變小，效率較高，但就是由于Ciss變小，使dv/dt和di/dt加大，導(dǎo)致產(chǎn)品EMC難過，尤其是對輻射影響較大，所以這個在設(shè)計之初就要做考量和平衡。

是不是由于MOS本身結(jié)電容還有電荷需要釋放才導(dǎo)致無法直接關(guān)斷。

MOSFET受硅材料本身特性限制，單管做到1200V已經(jīng)是極限，若需求1500V以上只能選擇碳化硅，或者兩個硅管串聯(lián)。

銳駿的這個RU6199Q應(yīng)該是60V耐壓的，并且據(jù)我了解這個型號是Trench工藝的，本身就不適合做同步整流使用，24V輸出最好要選100V以上耐壓的管子做同步。

作為LLC電路MOSFET的更換需要注意一下事項：1、Rdson：影響導(dǎo)通損耗，需要與原管接近，建議選用國產(chǎn)的要小于進(jìn)口器件。2、Vds：影響MOSFET耐壓值，與原管相當(dāng)即可。3、Ciss：不同品牌的產(chǎn)品CISS一定不同，更換品牌后需要調(diào)整驅(qū)動電路以適應(yīng)新品牌的應(yīng)用，同時要確保EMC效果。4、Trr：該參數(shù)在LLC電路比較重要，會影響死區(qū)時間，需要與原管相當(dāng)。總之，進(jìn)口品牌更換國產(chǎn)后一般都需要調(diào)整周邊驅(qū)動電路以作適應(yīng)，希望能夠幫到你。