請教大家一個問題，同一個電源使用普通的平面MOS傳導輻射基本上都OK，更換為低導通內阻的kuMOS后測試EMI傳導余量很小，輻射測試超標；
問題：kuMOS結電容小更容易驅動，是因為驅動更容易，導致mos開關速度更加的快速mos在線性區域的時間更小，開關變得更加的硬，導致動量成倍增加，這些干擾信號通過某個導線或者某個元件發射出去造成EMI測試中輻射超標。（我是這樣想的不知道對不對，請大家多多指教）。
有沒有比較好的辦法去解決這個問題，在溫度與EMI之間找到平衡點。
使用低內阻的mos主要是解決溫度的問題；電源整體效率也會提高。
