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峰峰值是360V，有效值256V，壓降取決于電容容量的大小！

這是正常現(xiàn)象，不接負(fù)載空載電壓就是255V*1.414=360V,接上負(fù)載電壓跌落到260V也是正常，如果想讓輸出電壓跌落很少，就加大輸出濾波電容，容量越大，電壓跌落幅度就越小，不過電容容量太大也不好，上電瞬間產(chǎn)生的浪涌電流就會(huì)變大，對(duì)整流二極管是一個(gè)沖擊，就需要加大二極管的工作電流了。

然后呢

恩，之前的芯片ESD不高，現(xiàn)在要求芯片的ESD能力必須達(dá)到25KV以上了！

反向耐壓只有幾十伏的肖特基二極管很容易被感知的ESD打壞，能夠感知的ESD，其電壓至少大于2KV！

失效模式加上對(duì)失效點(diǎn)的物質(zhì)成分分析得出結(jié)論就是ESD造成，通過再現(xiàn)性來驗(yàn)證！

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我每個(gè)月會(huì)遇到一些案列，均為ESD失效，我們這里說的可能更多認(rèn)為是靜電造成，我是肖特基二極管生產(chǎn)廠家的應(yīng)用工程師，不知道我們有沒有把ESD與EOS這兩個(gè)概念搞混了哦！

肖特基二極管對(duì)ESD是非常敏感的，這一點(diǎn)在實(shí)際運(yùn)用中已經(jīng)得到驗(yàn)證，太陽能電池板組件后面接線盒內(nèi)部的肖特基二極管其功率也是蠻大的，其正向電流都是大于10A的

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