wangchuangwccc：
功率越大，MOS管流過的電流越大，那么開關損耗和導通損耗越大，這就導致MOS管發燙嚴重，超過了設計要求，比如說常溫老化，MOS溫度都130度以上了，那么我們就需要MOS更低的RDSON，或者更好的散熱，因為結構和體積的問題，更大的散熱片或者更好的散熱方式，不一定能實現。那么我們只能用更低的RDSON的MOS，但是更大的MOS，結電容也越大，那么IC如果驅不動，你換更大的MOS也沒用，MOS管都不能正常打開和關閉，損耗反而更大。這么說理解嗎，我自己都感覺我自己有點啰嗦