ROHM_SIC_MOSFET：
羅姆銷售支持：StephenTEL:13632665149QQ:344645122ROHM確立了SiC元件的一條龍生產體系低驅動電壓，高效率的SiC肖特基勢壘二極管開始量產！2010.05.10半導體制造商ROHM株式會社（總部設在京都），最近開始了肖特基勢壘二極管（SBD）“SCS110A系列”的量產，本系列產品采用了因低功耗、高耐壓而有望成為下一代功率元件材料的SiC（Siliconcarbide：碳化硅）。“SCS110A系列”產品與其他公司已經量產的SiC-SBD相比，在正向電壓和動作時阻抗等特性上有很大的改善，可以廣泛應用于電動汽車/混合動力車等進行電源轉換的變壓器、轉換器、PFC電路（功率因數校正電路）等領域和其他可能的領域。本系列新產品已在2010年4月下旬開始量產和銷售，我們將視市場需求情況逐步擴大生產。生產基地定于晶圓在SiCrystal公司（德國埃爾蘭根市）制造，前期工序在ROHMApolloDeviceCo.,Ltd.（福岡縣），后期工序在ROHMIntegratedSystems(Thailand)Co.,Ltd.（泰國）進行。最近，在電力電子技術領域，電源轉換時半導體元件所帶來的功耗已成為一個問題，從環保角度出發，行業也在以進一步降低功耗為目標，不斷進行材料特性比硅材料更優越的SiC功率元件的開發研究。在這種趨勢下，2004年ROHM率先采用SiC成功試制出MOSFET產品，并成功試制出采用了SBD和這些元件的功率模塊，在行業中首先推進了SiC元件/模塊的研究和開發。SiC-SBD從2005年開始銷售工程樣品，結合客戶的反饋，我們不斷努力提高可靠性和改善生產性。此外，為了確保高品質的SiC晶圓，ROHM收購了德國SiCrystal公司，以建立SiC元件的一條龍生產體系。本次開始量產的“SCS110A系列”產品的反向恢復時間（trr）是15nsec，與以往的硅材料快速恢復二極管（35nsec?50nsec）相比大幅縮短，恢復過程中的損失減少到約三分之一。因此，變壓器、轉換器、PFC電路中如果采用本系列產品，可以大大降低損耗，從而減少發熱量。此外，相比硅材料快速恢復二極管（FRD），由于其溫度變化時的特性變化極小，散熱片小型化等可望效果顯著。另外，和以往的SiC-SBD相比較，具有反向恢復時間顯著改善、芯片尺寸減小15％左右等優勢。本系列產品的量產，解決了肖特基勢壘的均一性、高溫處理中形成不必要的高抗保護環層等SiC元件的課題，并且確立了一條龍生產體制。另外，本系列產品與已經量產的以往SiC-SBD產品相比，工作時阻抗更小、正向電壓更低（VF=1.5V（標稱值）10A時），溫度特性得到改善，實現了比以往產品都高的效率。ROHM將SiC元件業務視為下一代半導體業務的核心技術之一，今后將繼續推進SBD的進一步高耐壓化，強化大電流產品陣容，擴展搭載MOSFET和SiC元件的IPM（智能功率模塊）等SiC相關產品陣容并實現量產化。SiC肖特基勢壘二極管“SCS110A系列”[圖片](PDF：768KB)■SiC肖特基勢壘二極管“SCS110A系列”的特點反向恢復電荷（Qrr）極小，可以高速開關提供穩定的溫度特性不受溫度影響的trr（反向恢復時間）特性 ■碳化硅快速恢復二極管和SiC-SBD的開關波形比較[圖片]■電氣特性品名VRM(V)VR(V)IO(A)IFSM(A)Tj(oC)Tstg(oC) VF (V) IR (μA) trr(nsec)Conditionstyp.IF(A)Max.VR(V)typ.SCS110A系列6006001040150-55to+1501.510260015IF=10AVR=400Vdi/dt=-350A/μsec■技術名詞解釋SiC（Siliconcarbide：碳化硅）相比硅，具有約為3倍的碳化物間隙，約10倍的絕緣破壞電場，約3倍的熱傳導率等優秀物理值的化合物半導體，這些特性都適用于功率元件應用和高溫動作。肖特基勢壘二極管利用金屬和半導體的接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的二極管。無少數載流子蓄積效果，具有高速性的特點。肖特基勢壘形成肖特基結時，在金屬和半導體的界面附近形成針對電子的勢壘。這就是肖特基勢壘。保護環是指元件周圍的環形空間，用于防止半導體元件的周邊造成的各種影響。反向恢復時間（trr）正向電壓轉變成反向電壓時，瞬間逆向電流的通電時間。