整流橋一般有三個參數比較重要,If(AV),Id,URRM,我想知道
If(AV),Id這兩個參數代表什么意思,還有我如果設計一個200KW的電源,如何計算這兩個參數,輸入為AC380V
三相整流橋的參數計算
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@陳永真
留有3~10倍的電流裕量，這是MOTOLOLA在80年代給出的經驗公式。
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ROHM確立了SiC元件的一條龍生產體系低驅動電壓，高效率的SiC肖特基勢壘二極管開始量產！
2010.05.10
半導體制造商ROHM株式會社（總部設在京都），最近開始了肖特基勢壘二極管（SBD）“SCS110A系列”的量產，本系列產品采用了因低功耗、高耐壓而有望成為下一代功率元件材料的 SiC（Silicon carbide：碳化硅）。“SCS110A系列”產品與其他公司已經量產的SiC-SBD相比，在正向電壓和動作時阻抗等特性上有很大的改善，可以廣泛應用于電動汽車/混合動力車等進行電源轉換的變壓器、轉換器、PFC電路（功率因數校正電路）等領域和其他可能的領域。本系列新產品已在2010年4月下旬開始量產和銷售，我們將視市場需求情況逐步擴大生產。生產基地定于晶圓在SiCrystal公司（德國埃爾蘭根市）制造，前期工序在ROHM Apollo Device Co.,Ltd.（福岡縣），后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）進行。
最近，在電力電子技術領域，電源轉換時半導體元件所帶來的功耗已成為一個問題，從環保角度出發，行業也在以進一步降低功耗為目標，不斷進行材料特性比硅材料更優越的SiC功率元件的開發研究。在這種趨勢下，2004年ROHM率先采用SiC成功試制出MOSFET產品，并成功試制出采用了SBD和這些元件的功率模塊，在行業中首先推進了SiC元件/模塊的研究和開發。SiC-SBD從2005年開始銷售工程樣品，結合客戶的反饋，我們不斷努力提高可靠性和改善生產性。此外，為了確保高品質的SiC晶圓，ROHM收購了德國SiCrystal公司，以建立SiC元件的一條龍生產體系。
本次開始量產的“SCS110A系列”產品的反向恢復時間（trr）是15nsec，與以往的硅材料快速恢復二極管（35nsec?50nsec）相比大幅縮短，恢復過程中的損失減少到約三分之一。因此，變壓器、轉換器、PFC電路中如果采用本系列產品，可以大大降低損耗，從而減少發熱量。此外，相比硅材料快速恢復二極管（FRD），由于其溫度變化時的特性變化極小，散熱片小型化等可望效果顯著。另外，和以往的SiC-SBD相比較，具有反向恢復時間顯著改善、芯片尺寸減小15％左右等優勢。本系列產品的量產，解決了肖特基勢壘的均一性、高溫處理中形成不必要的高抗保護環層等SiC元件的課題，并且確立了一條龍生產體制。另外，本系列產品與已經量產的以往SiC-SBD產品相比，工作時阻抗更小、正向電壓更低（VF = 1.5V（標稱值）10A時），溫度特性得到改善，實現了比以往產品都高的效率。
ROHM將SiC元件業務視為下一代半導體業務的核心技術之一，今后將繼續推進SBD的進一步高耐壓化，強化大電流產品陣容，擴展搭載MOSFET和 SiC元件的IPM（智能功率模塊）等SiC相關產品陣容并實現量產化。
SiC肖特基勢壘二極管“SCS110A系列” (PDF：768KB)
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■碳化硅快速恢復二極管和SiC-SBD的開關波形比較
| 品名 | VRM(V) | VR(V) | IO(A) | IFSM(A) | Tj(oC) | Tstg(oC) | VF (V) | IR (μA) | trr(nsec) | Conditions | typ. | IF(A) | Max. | VR(V) | typ. | SCS110A系列 | 600 | 600 | 10 | 40 | 150 | -55 to +150 | 1.5 | 10 | 2 | 600 | 15 | IF=10AVR=400Vdi/dt=-350A/μsec |
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