海旭：
在DS之間并電容好像對米勒電容沒影響，我在實際中加這個電容對效率有提高。加這個電容好處正如你所說對關斷時MOS的DV/DT減小，減小mos的誤開通可能性。同時對整流管和EMC都有好處。但是這個電容應該是減小關斷損耗，正因為關斷時MOS的DV/DT減小，所以關斷時電壓電流疊加乘積小了，可以理解為關斷時部分諧振電流是流經DS間并聯電容，真正流經mos的電流小了，所以損耗也小。 在DS間并電容真正的缺點是在死區內可能需要更大的電流來把電容上的電荷抽走來實現軟開關，在固定死區的LLC中很難在小載或者空載實現完全軟開關，但現今數字控制，死區隨負載或者說頻率可調，這個不是問題。 另一個缺點就是在寬范圍輸入輸出的電源中，高頻采取PWM方式控制中，可能損耗大些。這個看你調脈寬范圍，最小脈寬越小損耗越大。但是一般到調脈寬的時候輸出電流小。損耗也沒我們想象那么大，很多電源實際工作中也很很少工作在此狀態，所以這個時候效率也沒人在乎。 據我所知，華為模塊最小占空比不會低于20%，雖然輕載有點硬開關，但是mos的開通電壓還是非常低，不會高于50V，所以不會很熱，同時也能滿足低壓輕載輸出要求。 另外說句，我雖不是華為的，但是能做到通信行業老大，里面會養一些打醬油的閑人么。就目前來說，國內電源做的最好的還是華為，沒有之一。