郁悶的小鳥：
大俠說得很有道理,謝謝!我對器件的制造工藝不懂.不過您說的“要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內(nèi)阻太大.從元件層面看,離柵遠(yuǎn)的MOS單元該開是開不起;該關(guān)時關(guān)不掉.這是炸機的根本原因”和您出的第二個解決方案向矛盾啊,強觸發(fā)時dv/dt更大啊,那不更容易損壞?IRFP460和IXYS管子的參數(shù)表面上看開關(guān)速度差的很多,我總覺得IR公司的產(chǎn)品既然速度慢還挺有市場,管子內(nèi)在結(jié)構(gòu)必然有其獨特優(yōu)點,只是不知是什么.愿大俠賜教!!謝謝