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高頻電源,用IXTQ26N60P替代IRF460時為何老是炸管?

各位大俠:
一臺電流型感應(yīng)加熱電源,250V/200A,工作頻率300~400kHz.原先是選用IR公司的IRF460(20A/500V),每橋臂24只并聯(lián).每只都加吸收電路(25歐電阻,1500P電容),門極電阻10歐,能工作到250V/200A額定.后來460器件供貨不暢加之老板想升級就選用了IXYS公司的IXTQ26N60P(26A/600V),該型管子的各項性能指標都比460強,200V以下工作良好,可是只要電壓超過200V就炸管子,且管子壞時火光四射(460壞時僅有輕微的爆裂聲).
能試的方法都試了,可還是不行,百思不得其解啊,各位大俠給出出主意這是什么原因呢?小妹拜謝了!!!
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samszapl
LV.5
2
2007-07-12 10:17
有可能是頻率的問題吧.你可以聯(lián)系一下鵬源(IXYS代理商)的FAE黃工.
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2007-07-14 00:01
@samszapl
有可能是頻率的問題吧.你可以聯(lián)系一下鵬源(IXYS代理商)的FAE黃工.
我們要求的頻率就得那么高啊,這是必須的.哥們知道黃工的電話嗎,望告知,謝謝
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2007-07-15 23:03
怎么沒人關(guān)注呢?
小妹在線等待著呢,知道的大俠們幫幫忙呀!
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samszapl
LV.5
5
2007-07-16 09:50
@郁悶的小鳥
怎么沒人關(guān)注呢?小妹在線等待著呢,知道的大俠們幫幫忙呀!
你買IXYS的東西怎么會不知道鵬源的電話呢?你在哪兒買的啊?0755-82947272-813IXYS FAE黃工的電話
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2007-07-17 23:55
@samszapl
你買IXYS的東西怎么會不知道鵬源的電話呢?你在哪兒買的啊?0755-82947272-813IXYSFAE黃工的電話
打電話問了,他說我的驅(qū)動能力不夠.我們覺得不可能啊,460比IXYS管子的驅(qū)動功率要求大多了,我的驅(qū)動既然能夠驅(qū)動460,怎么會驅(qū)動IXYS反而不夠呢?!
我覺得是由于管子開關(guān)速度太快造成di/dt或dv/dt過大損壞的,各位大俠說說是不是這個原因造成的呢?
小妹拜謝了.
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xkw1
LV.9
7
2007-07-18 09:34
@郁悶的小鳥
打電話問了,他說我的驅(qū)動能力不夠.我們覺得不可能啊,460比IXYS管子的驅(qū)動功率要求大多了,我的驅(qū)動既然能夠驅(qū)動460,怎么會驅(qū)動IXYS反而不夠呢?!我覺得是由于管子開關(guān)速度太快造成di/dt或dv/dt過大損壞的,各位大俠說說是不是這個原因造成的呢?小妹拜謝了.
IXYS的MOS只適合低頻工作,如果想到你那頻率,只有ZVS方式工作了.而且,要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內(nèi)阻太大.從元件層面看,離柵遠的MOS單元該開是開不起;該關(guān)時關(guān)不掉.這是炸機的根本原因.
你現(xiàn)在有兩個方法解決:
1)換威士的460,IR的一級代理大體上都有代理這家的器件.(威士用的是IR工藝做的.)
2)在上升沿;用25V強觸發(fā)開通,開通穩(wěn)態(tài)用9~15V維持.在下降沿;用-15V強制關(guān)閉,關(guān)閉穩(wěn)態(tài)同0V維持.
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2007-07-18 10:22
@xkw1
IXYS的MOS只適合低頻工作,如果想到你那頻率,只有ZVS方式工作了.而且,要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內(nèi)阻太大.從元件層面看,離柵遠的MOS單元該開是開不起;該關(guān)時關(guān)不掉.這是炸機的根本原因.你現(xiàn)在有兩個方法解決:1)換威士的460,IR的一級代理大體上都有代理這家的器件.(威士用的是IR工藝做的.)2)在上升沿;用25V強觸發(fā)開通,開通穩(wěn)態(tài)用9~15V維持.在下降沿;用-15V強制關(guān)閉,關(guān)閉穩(wěn)態(tài)同0V維持.
大俠說得很有道理,謝謝!我對器件的制造工藝不懂.
不過您說的“要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內(nèi)阻太大.從元件層面看,離柵遠的MOS單元該開是開不起;該關(guān)時關(guān)不掉.這是炸機的根本原因”和您出的第二個解決方案向矛盾啊,強觸發(fā)時dv/dt更大啊,那不更容易損壞?
IRFP460和IXYS管子的參數(shù)表面上看開關(guān)速度差的很多,我總覺得IR公司的產(chǎn)品既然速度慢還挺有市場,管子內(nèi)在結(jié)構(gòu)必然有其獨特優(yōu)點,只是不知是什么.
愿大俠賜教!!
謝謝
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xkw1
LV.9
9
2007-07-19 09:17
@郁悶的小鳥
大俠說得很有道理,謝謝!我對器件的制造工藝不懂.不過您說的“要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內(nèi)阻太大.從元件層面看,離柵遠的MOS單元該開是開不起;該關(guān)時關(guān)不掉.這是炸機的根本原因”和您出的第二個解決方案向矛盾啊,強觸發(fā)時dv/dt更大啊,那不更容易損壞?IRFP460和IXYS管子的參數(shù)表面上看開關(guān)速度差的很多,我總覺得IR公司的產(chǎn)品既然速度慢還挺有市場,管子內(nèi)在結(jié)構(gòu)必然有其獨特優(yōu)點,只是不知是什么.愿大俠賜教!!謝謝
開時,用更高的電壓觸發(fā),可以在相同的柵電阻的條件下,能有更大的驅(qū)動電流,遠處的MOS單元可以更快的開,反之,關(guān)閉時負壓驅(qū)動;能更快的驅(qū)動遠處的MOS單元.
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2007-07-20 11:46
@xkw1
開時,用更高的電壓觸發(fā),可以在相同的柵電阻的條件下,能有更大的驅(qū)動電流,遠處的MOS單元可以更快的開,反之,關(guān)閉時負壓驅(qū)動;能更快的驅(qū)動遠處的MOS單元.
記得晶閘管是這么觸發(fā),mos和igbt還沒見過這樣觸發(fā)的啊!
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skywolf2002
LV.4
11
2007-07-20 16:39
@郁悶的小鳥
記得晶閘管是這么觸發(fā),mos和igbt還沒見過這樣觸發(fā)的啊!
IGBT可以這么用,我用過
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475983350
LV.2
12
2007-07-21 00:15
@郁悶的小鳥
打電話問了,他說我的驅(qū)動能力不夠.我們覺得不可能啊,460比IXYS管子的驅(qū)動功率要求大多了,我的驅(qū)動既然能夠驅(qū)動460,怎么會驅(qū)動IXYS反而不夠呢?!我覺得是由于管子開關(guān)速度太快造成di/dt或dv/dt過大損壞的,各位大俠說說是不是這個原因造成的呢?小妹拜謝了.
你是從什么地方知道那個要求的驅(qū)動能力要小一點呢
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2007-07-21 21:28
@475983350
你是從什么地方知道那個要求的驅(qū)動能力要小一點呢
datesheet上,460需要210nc,ixys的僅需72nc
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