本節分享一篇關于GaN器件驅動的論文。

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最近兩年關于第三代半導體、寬禁帶半導體、GaN/SiC之類的關鍵詞出現的非常平凡，如今電力電子技術的瓶頸還是在器件，這也是現在研究的焦點。

半導體材料出現了第三代以氮化鎵（ GaN）為代表的寬禁帶半導體材料，其特點包括臨界擊穿電場高、飽和電子速度高、電子密度高、電子遷移率高及導熱率高等，是一種適用于高頻、高壓、高溫、大功率的抗輻射等級高的半導體材料。但是誰又真真正正的了解該種材料的器件特性呢？帶著好奇，便搜索了大量論文來查閱。

文中提出了一種諧振驅動GaN電路，并給出了詳細的分析過程，下面我們就來仔細研讀。

首先發現問題，提出解決方法。

其次對實現方法做出了詳細描述。

最后以Buck變換器驗證了方法的可行性與優越性。實驗過程可以詳細閱讀文獻。這里不再贅述。

參考文獻

[1] 低壓氮化鎵器件諧振驅動技術及其反向導通特性

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