最近閱讀到一篇關于GaN器件驅動電路的文獻，不知文中的方法在實際中是否有使用的？如果有知道的朋友，歡迎留言說明目前的發展趨勢。

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這篇文章相對較新，但是該種方法已經研究有好多年了。

下面直接進入主題吧！

首先文中先說明了傳統驅動電路在GaN器件運用的弊端，傳統驅動電路拓撲與工作時序如圖1所示。

傳統門極驅動存在的問題有：

a． 在高頻應用時， 傳統門極驅動容易引起線路寄生電感和開關管輸入電容之間的振蕩， 超過 GaN器件的柵源耐壓值， 損壞 GaN 器件;

b． 傳統驅動電路沒有低阻抗路徑箝位， 抗干擾能力較差， 開關電源的可靠性低。

然后基于上述缺點，提出了一種可為 GaN 器件提供可靠驅動的電路。

緊接著說明了諧振驅動的發展歷程。

針對 GaN 器件自身的特點，對可靠的 ＲGD 電路有以下的要求: GaN 器件開通關斷時， 要有低阻抗路徑箝位， 增強抗干擾能力; 電感電流盡量采用脈沖式狀態， 可有效減小驅動電路的導通損耗; 驅動電源提供的能量能夠回收， 循環利用; 盡量采用結構簡單的拓撲結構， 減少有源器件的使用。

基于ＲGD2電路， 對 其 改 進 得 到 一 種 適 用 于GaN Systems 公司的 GaN 器件的 ＲGD 電路， 其拓撲結構如圖 4( a) 所示。圖中ＲGD 電路由 4 個輔助開關管 S1—S4 和 1 個諧振電感 Lr 組成，其中 S1 和 S3采用 P 型 MOSFET，S2 和S4 采用 N 型 MOSFET，Ciss為 Q 的等效輸入電容，VDD為ＲGD電路的驅動電源。圖 4( b) 為 ＲGD 電路的主要工作波形。圖中 S1—S4為 4 個輔助開關管的驅動信號，iLr 為流過諧振電感的電流，Vgs為Q 的柵源電壓。

文中并且詳細分析了諧振的工作過程。具體工作模態如圖5所示。

諧振原理分析完畢，并且文中運用Buck變換器驗證了提出驅動電路的優越性。具體實驗驗證各位讀者可以參考原文獻。（文獻已上傳，歡迎點擊“資料 ”下載）

參考文獻

[1] 一種適用于 GaN 器件的諧振驅動電路

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