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Rdson對應MOS管的哪個工作區?

大家好,我是硬件微講堂。這是我的第43篇原創文章。為避免錯過干貨內容,一定記得點贊、收藏、分享喲。加微信hardware_lecture進群溝通交流。

前面花了10篇聊三極管,現在我們開始聊MOS管。關于MOS管的文章,例如MOS管的參數解析等,網上很多,這里就不寫了,我們還是針對具體問題具體分析。在問題求證過程中,查漏補缺。

1、一道問題

關于MOS管的Rdson的解釋,網上搜出來的內容都差不多,比如:①在特定Vgs 、結溫及Id條件下, MOS管導通時d-s間最大阻抗;②MOS管導通時,漏極D和源極S之間的電阻值。上面的說法都對,但是我感覺這種描述還不夠具體。

我問一個問題: 我們都知道MOS管分可變電阻區、恒流區(飽和區)、截止區。Rdson電阻是對應MOS管的哪個工作區?A:可變電阻區;B:恒流區;C:截止區這道選擇題,你會選哪個?

關注這個號的人,大都已經不是學生了,做題不能再全靠蒙,要負責任,最好能說出你的理由C應該最先排除,我想這個應該沒有疑問,關鍵點就在于是選A還是選B。

2、只有Vgs時

要想弄清楚這個問題,我們需要先搞清楚MOS管內部的工作機理。下圖是N溝道增強型的MOS管內部構造,具體我就不展開介紹了。

當d-s短路(暫時不加入電壓),只在g-s兩端加入電壓Vgs。當Vgs增大到一定值(Vth),此時柵極附近的P型襯底中的空穴被向下排斥,襯底中的少子(電子)被向上吸引,進而形成反型層,產生N型導電溝道。

在這個過程中,Vgs加大,導電溝道寬度增加;Vgs減小,溝道寬度就減小。由此可見,g-s間的電壓Vgs對導電溝通到寬度有控制作用。而這個導電溝道就表現為一個電阻特性:Vgs變化,電阻變化;Vgs不變,電阻不變如果此時在d-s稍微加一點電壓Vds,則會有Id出現。

3、Vgs和Vds同時存在時

在Vgs>Vth且保持不變的條件下,如下圖所示,在d-s間增加一個小的Vds電壓。

Vds的存在,使得Vgd存在電壓。Vgd=Vgs+Vsd=Vgs-Vds>=Vth,即Vds<=Vgs-Vth時,導電溝道會一直存在,但由于Vgs和Vgd不相等,準確地說是Vgs>Vgd,溝道兩端會形成電位梯度進而導致溝道寬度不均勻,靠近源極的一側寬度大,靠近漏極一側寬度小,呈梯形結構。

如果Vds繼續增大,使得Vgd=Vgs-Vds進一步減小,當Vgd=Vth,即Vds=Vgs-Vth,如下圖所示,即進入預夾斷狀態。在此之前,MOS管是處于可變電阻區

在可變電阻區內,Vds增大,Id也增大,它們是呈比例增加,這個比例關系就是電阻Rds。而這個Rds只受Vgs控制

如果Vds繼續增大,使得Vgd=Vgs-Vds進一步減小,當Vgd<Vth,即Vds=Vgs-Vth,如下圖所示,即進入恒流狀態,飽和區。注意此時溝道并沒有被真的夾斷,只是夾斷縫隙變長,依然有電流Id存在。Vds增加的部分主要用于克服溝道的電阻,Id幾乎不變,Id幾乎僅僅取決于Vgs

4、從溝道狀態解析

解釋完Vgs和Vds分別對MOS管的作用,以及從可變電阻區到恒流區的過程,再回到文章開頭的問題:Rdson電阻對應是MOS管的哪個區?

(1)處于可變電阻區時,導電溝通是暢通的,此時的Id和Vds是呈線性比例關系。在同一個Vgs條件下,比例關系固定;(2)處于恒流區時,導電溝道是部分夾斷狀態,此時的Id不隨Vds增加而變化,幾乎僅取決于Vgs。

前面在解釋Rsdon時,提到MOS管導通,因此此時應該選擇導電溝通暢通的情況,因此應是處于可變電阻區。

5、從阻抗量級解析

如果只是單純從導電溝通的狀態上解析,還不夠充分。那么咱們再從Rdson阻抗量級來做具體分析。

以Nexperia的PMPB14R8XN為例,具體看一下MOS管的Id和Vds的輸出特性曲線,如上圖所示,注意X軸是電壓Vds,Y軸是電流Id。

(1)處于可變電阻區,曲線斜率k非常大,取倒數,就是電阻Rds非常小

(2)處于恒流區,曲線斜率k非常小,取倒數,就是電阻Rds非常大

在恒流區,Rds很大,也很容易理解,因為導電溝道已經部分夾斷,夾斷縫隙很長,必然造成阻抗變大。相反,在變阻區,導電溝通暢通,Rds自然很小。

所以,通常我們看到MOS管的Rdson在mΩ級別,如下圖所示,PMPB14R8XN的Rdson=18.4mΩ,這必然是可變電阻區的導通電阻。

6、從BJT-MOS對應關系解析

其實回答這個問題,有一個更取巧的方法。我們都知道三極管有三個區,MOS也有三個區。只要你知道它們的對應關系,直接按照三極管的狀態去做選擇即可。對應關系如下表所示:

本文問題中需要的是MOS管導通,對應三極管處于導通。三極管導通,即處于飽和區;對應到MOS管上即為可變電阻區。

7、總  結

先聊到這里,現在梳理下今天討論的內容:①只有Vgs時,Vgs對MOS管導電溝道寬度的控制作用;②Vgs和Vds同時存在時,對MOS管漏極電流Id的影響;③解析MOS管從可變電阻區到恒流區的過渡過程;

④從溝道狀態、阻抗量級、對應關系等三種維度解析Rdson電阻對應的工作區。

怎么樣?一個簡短的問題,給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里,能否晉升到陸地神仙境一劍開天門,就看你的造化了!

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