為防止電源使用者有意無意將輸入引線接錯導(dǎo)致電源燒壞，一般的DC電源會在其輸入端加防反接電路，常見方式為串聯(lián)二極管（串1只或者2對管組成整流橋）或者并聯(lián)二極管（反接時短路使大電流流經(jīng)保險絲，最終使保險絲熔斷開路），這種保護(hù)方式簡單粗暴，成本低，適用在小電流電路中。
原理圖放在下圖中。
但是這種電路放在大電流電路中并不適用，首先咱們計算下功耗，拿流過10A回路電流舉例，咱們選擇20A/100V的肖特基二極管和20A/100V的MOSFET作比較：1.查規(guī)格書（Diode規(guī)格書鏈接）中If vs Vf表格可知，Vf=0.72V@10A，所以二極管上功率P=Vf*If=7.2W；2.查規(guī)格書（MOS規(guī)格書鏈接）中Id vs Rds表格可知，Rds=0.03Ω@10A，所以MOSFET上功率P=If*If*Rds=3W。兩者功耗差別還是比較大的，因此在大電流電路中使用MOSFET設(shè)計防反接電路更加適宜。
使用MOSFET設(shè)計防反接電路的優(yōu)劣勢也比較明顯，優(yōu)勢：導(dǎo)通時回路電流流經(jīng)DS，阻抗相當(dāng)于MOSFET的Rds(on)，一般MOS的Rds都比較小，所以MOSFET的功耗很小，發(fā)熱量也較小，這樣就可以用較小的散熱器，有利于實現(xiàn)產(chǎn)品小型化；劣勢：如果用戶將輸入端正負(fù)極接反時，整個系統(tǒng)將不會工作。本人覺得使用的時候應(yīng)該具體情況具體分析，適合自己的才是最好的。
下面將介紹防反接電路架構(gòu)，注意以下電路中MOSFET的接法，D接輸入端負(fù)極，S接后級負(fù)載端負(fù)極，工作原理：1.輸入端正接時（上正下負(fù)），由于MOSFET存在體二極管，所以上電初始階段S端被拉低，R1和R2分壓，其中R2上分得的電壓為MOSFET提供偏置使其DS導(dǎo)通，此后DS就像開關(guān)一樣被打開，維持穩(wěn)定工作；2.輸入端反接時（上負(fù)下正），DS不通，無法構(gòu)成回路，所以整個系統(tǒng)無法工作。
仿真結(jié)果（仿真使用IRFP250模型）：
輸入正接：
輸入反接：
錯誤接法如下圖，反接時起不到保護(hù)作用：
MOSFET有兩種接法，PMOS和NMOS，考慮到采購因素，我習(xí)慣性用NMOS多一些。同時也附上PMOS接法：
延伸電路：MOSFET在同步整流中的應(yīng)用，可以把變壓器輸出繞組看成為電壓源，和上述防反接電路是同樣的原理，控制芯片：OB2007MP（附規(guī)格書）
其余常用同步整流電路：
