本部分列出有關繞組順序以及如何采用Power Integrations特有的E-Shield技術的一些實用設計技巧。采用屏蔽繞組，不僅可省去共模扼流圈，而且可降低初級側和次級側之間連接的Y級電容的值，甚至無需Y級電容， 從而提高傳導EMI性能并簡化輸入濾波級。
圖1 采用E-Shield (WD1)的典型變壓器電路原理圖
圖2 帶屏蔽繞組的LYTSwitch-2變壓器的典型繞制結構
屏蔽繞組
變壓器的第一層是屏蔽繞組(WD1)。從PIXls獲得初級繞組圈數NP， 然后除以層數L，得出圈數。將得出的圈數再除以2 (NSHEILD = 0.5 × (NP/L))。這樣可得出起始值。請注意，屏蔽繞組的起始點（黑點） 位于從初級繞組起始的骨架的另一側。屏蔽繞組的末端是浮動的。選擇 與骨架寬度完全吻合的線規。
初級繞組
第二個繞組(WD2)是初級側。繞組圈數NP、層數L 以及線規AWG。可使用1 mm的膠帶層，通過降低變壓器設計對制造差異的敏感性來改善EMI的可重復性。要將膠帶寬度計算在內，請將1 mm的寬度值插入計算方程中。
反饋繞組
反饋繞組是骨架上的第三層繞組(WD3)。圈數NFB。要降低傳導EMI干擾，此繞組必須完全覆蓋骨架寬度。采用多股并繞繞組可實現上述目的，不過要想獲得最佳線規和并繞股數，可能還需進行一些試驗。出于可制造性方面的考慮，一般建議并繞股數不超過4股， 因為多股并繞繞組是同時連接在單個骨架引腳上的。
次級繞組
最后一層繞組是次級繞組(WD4)。在骨架一側開始次級側繞組，與反饋繞組的起始處在同一側。選擇與骨架繞組窗口寬度完全吻合的線規。建議次級繞組使用三層絕緣線，這樣就無需使用膠帶擋墻即可符合安全間距要求（通常為6 mm到6.2 mm），還可減小所需的變壓器磁芯尺寸。